Активная база

Cтраница 1

Активные базы данных используются при расчете эвольвентных зубчатых передач внутреннего и внешнего зацепления, планетарных и волновых передач и включают базы стандартных модулей по ГОСТ 9563 - 80, стандартных передаточных отношений и межосевых расстояний ( СТ СЭВ 312 - 76), параметры исходных контуров по ГОСТ 13755 - 81 и 9587 - 81, размеры измерительных роликов. [1]

Если в активной базе данных уже имеется объект с таким же именем, Access автоматически добавляет к имени порядковый номер. [2]

Для определения размеров активной базы ауБа рассчитывают ширину области объемного заряда Л - с КБ и & х э при прямом смещении эмиттерного и обратном смещении коллекторного переходов. [3]

При расчете сопротивления активной базы мы допустили, что эмиттер инжектирует практически равномерно, т.е. / 3K const. Сначала рассмотрим низкий уровень инжекции. [4]

Структура р-п - р транзистора.| Структура биполярного транзистора. [5]

На рисунке обозначены размеры технологической и активной базы WEO и аува. [6]

При высоких уровнях кижекции удельное сопротивление активной базы заметно уменьшается, так что результирующее значение гб становится близким к сопротивлению пассивной области. [7]

Поэтому обычно можно пренебречь зарядом в активной базе и считать, что время tp соответствует рассасыванию лишь пассивных зарядсв. [8]

Современные технологические методы позволяют получить физическую толщину активной базы менее 0 1 мкм. Однако при уменьшении толщины активной базы возрастает ее сопротивление и снижается напряжение смыкания эмиттерного и коллекторного р-я-переходов и, следовательно, и мощность. Для уменьшения сопротивления активной базы и повышения напряжения смыкания необходимо увеличивать концентрацию примесей в базе, но при этом возрастают емкости переходов. Реально толщина базы сверхвысокочастотных транзисторов составляет 0 1 - 0 3 мкм. [9]

Учитывая, что нормальный коэффициент переноса электронов через активную базу п-р - - транзистора близок к единице, можно приближенно считать ( рис. 5.11) ап. Нормальный коэффициент усиления р - - р-транзистора в схеме с ОБ определяется при / 0 как aPNl6 [ Io - Нетрудно видеть, что стремление к увеличению N и ардг определяет противоречивые требования к проводимости эпитаксиального слоя. [10]

Поэтому у дрейфовых транзисторов обычно можно пренебречь зарядом в активной базе и считать, что время tp соответствует рассасыванию лишь пассивных зарядов. [11]

В (2.586) первое слагаемое по-прежнему отражает объемные потери электронов в активной базе, второе - потери электронов в объеме пассивной базы, а третье - потери электронов за счет поверхностной рекомбинации. В кремниевых транзисторах usr 200 - 2000 см / с и сильно зависит от технологии изготовления транзистора. [12]

Когда вы импортируете объект Access, то весь объект импортируется в активную базу данных как объект с таким же именем. [13]

Поле потенциалов в базовой области транзистора. [14]

Параметры рб, р б, Рк представляют собой сопротивления диффузионных слоев активной базы под эмиттером, пассивной базы и коллектора соответственно. [15]

Страницы: 1 2 3