Активная база

Cтраница 2

Структура продольного р-п-р-транзистора представлена на рис. 5.8. Базой служит эпитаксиальный слой п-типа, причем активной базой является узкий зазор между диффузионными областями р - типа, а активными участками эмиттерного и коллекторного р - - переходов - их боковые стенки, обращенные к базе. Изготовление скрытого л - слоя под эмиттерной и коллекторной областями обязательно, так как благодаря градиенту концентрации доноров на границе эпитаксиального и скрытого слоев для дырок, инжектированных эмиттером, создается встроенное поле, которое отражает поток дырок. Здесь отметим лишь его наиболее важные свойства, существенные для анализа совмещенных транзисторных и тиристорных структур. [16]

Если щелкнуть на этой кнопке, отобразится окно, которое используется для поиска и отображения VBA-объектов в активной базе данных. [17]

Изготовление меза-планарного транзистора с диффузионными эмиттером и коллектором. [18]

Для того чтобы в транзисторах, изготовленных с помощью двусторонней диффузии, уменьшить эффект оттеснения тока к краю эмиттера, в них можно создавать в базовой области под эмиттерным переходом слой, легированный сильнее, чем остальная часть активной базы, но слабее, чем легированный слой у поверхности пассивной базы. [19]

Кл; и, - собственная концентрация, И 1 5 - 1010см - 3; Д, фт ця - коэффициент диффузии электронов в области базы, qT kT / q - температурный потенциал, k - постоянная Больцмана, Т - температура, К; ц, цр-подвижности электронов и дырок; а6 - средняя проводимость в активной базе; N6 - средняя концентрация примеси в активной базе; W-ширина базы. [20]

Современные технологические методы позволяют получить физическую толщину активной базы менее 0 1 мкм. Однако при уменьшении толщины активной базы возрастает ее сопротивление и снижается напряжение смыкания эмиттерного и коллекторного р-я-переходов и, следовательно, и мощность. Для уменьшения сопротивления активной базы и повышения напряжения смыкания необходимо увеличивать концентрацию примесей в базе, но при этом возрастают емкости переходов. Реально толщина базы сверхвысокочастотных транзисторов составляет 0 1 - 0 3 мкм. [22]

Заметим, что выражение ( 4 - 27) и вывод относительно главной рол. При высоких уровнях инжекции удель ное сопротивление активной базы заметно уменьшается, так что ре зультирующая величина гб становится близкой к сопротивлению пас сивной области. [23]

Базу данных для известных фактов (1.1) иногда называют контекстной базой данных или долговременной памятью. Базу данных для новых фактов (1.2) иногда называют активной базой данных или множеством поддержки, или кратковременной памятью. [24]

Распределение примесей в структуре диффузионного транзистора с сильнолегированным слоем в активной базовой области. [25]

По сравнению с транзисторами, полученными с помощью двойной односторонней диффузии, приборы с диффузионными эмиттером и коллектором характеризуются прежде всего существенно меньшим сопротивлением насыщения. В случае структуры, подобной изображенной на рис. 6 - 6, эти транзисторы могут иметь очень малое сопротивление активной базы гб1 и в связи с этим в них может почти отсутствовать эффект концентрации тока к краю эмиттера. По этим двум причинам в транзисторах с диффузионными эмиттером и коллектором спад коэффициента усиления с ростом тока может быть выражен менее сильно, чем в транзисторах с диффузионной базой. [26]

Значительное число разработок замечено в области постреляционных баз данных. Отметим следующие пути решения в этой области: во-первых, базы данных сложных объектов ( реляционная модель с отказом от первой нормальной формы), нашедшие применение в нетрадиционных приложениях, требующих операций со сложно структурированными объектами; во-вторых, разработка активных баз данных, для которых СУБД выполняет не только указанные пользователем действия, но и дополнительные действия в соответствии с правилами, заложенными в саму базу данных; в-третьих, темпоральные базы данных как надстройка над реляционной базой данных, позволяющие поддерживать исторические данные системы; в-четвертых, интегрированные системы, обеспечивающие решение задачи интеграции неоднородных баз данных в единую глобальную систему. [27]

Значительное число разработок замечено в области постреляционных баз данных. Отметим следующие пути решения в этой области: во-первых, базы данных сложных объектов ( реляционная модель с отказом от первой нормальной формы), нашедшие применение в нетрадиционных приложениях, требующих операций со сложно структурированными объектами; во-вторых, разработка активных баз данных, для которых СУБД выполняет не только указанные пользователем действия, но и дополнительные действия в соответствии с правилами, заложенными в саму базу данных; в-третьйх, темпоральные базы данных как надстройка над реляционной базой данных, позволяющие поддерживать исторические данные системы; в-четвертых, интегрированные системы, обеспечивающие решение задачи интеграции неоднородных баз данных в единую глобальную систему. [28]

Когда вы импортируете объект Access, то весь объект импортируется в активную базу данных как объект с таким же именем. Если активная база данных уже содержит объект с тдким именем, Access при импортировании объекта добавляет в конце его имени число. [29]

Страницы: 1 2 3