Материал - затвор
Cтраница 1
 |
Полевой транзистор. а - схема включения. б, в, г, ., е - размещение зарядов при разных напряжениях.| Выходные характеристики полевого транзистора. [1] |
Материал затвора ( на рис. 2.19, а заштрихованная область монокристалла) должен образовать с канальным полупроводником р-п-пере-ход, поэтому при указанной на рис. 2.19, а полярности источника питания Ес переход оказывается под напряжением обратного смещения. [2]
Материал затвора не должен быть склонен к слипанию при длительном закрытом положении затвора в рабочих условиях, он должен сохранять структурную стабильность. Кроме того, наплавочный материал должен быть достаточно технологичен при наплавке ( хорошее сплавление и отсутствие газовых пор и шлаковых включений и трешин) и допускать качественную механическую обработку. [3]
Материалы затвора не должны разрушаться при длительном воздействии сернистых нефтей и нефтепродуктов со значи тельным содержанием ароматических углеводородов, должны быть маслобензостойкими при указанных выше температурах, водостойкими, незначительно набухать, и при этом показатель их истираемости не должен, понижаться. [4]
 |
Конструкция аварийного клапана Составив уравнение равновесия пружины. [5] |
При выборе материала затвора и седла переливного клапана следует учитывать возможность быстрого износа запорной пары вследствие частого срабатывания затвора и постоянного нахождения этой пары в струе вытекающей жидкости. Последнее вызывает эрозионный износ их поверхностей. [6]
Значение UQ может быть изменено также за счет соответствующего выбора материала затвора. [7]
В табл. 10 приведены вычисленные величины отклонений затворов, которые показывают, какие требования необходимо предъявлять к конструкциям и материалам затвора при наличии той амплитуды колебаний, которую имеет внешняя часть затвора, соприкасающаяся со стенкой резервуара. [8]
Ртутные затворы, разделяющие жидкости различной плотности, могут частично пропускать более легкую жидкость ( в частности, рассол) если материал затвора смачивается этой жидкостью и не смачивается более тяжелой жидкостью. В гуммированных затворах наблюдается продвижение рассола по стенкам под влиянием потока амальгамы. [9]
Ртутные затворы, разделяющие жидкости различной плотности, могут частично пропускать более легкую жидкость ( в нашем случае - рассол), если материал затвора смачивается этой жидкостью и не смачивается более тяжелой жидкостью. В гуммированных затворах и наблюдается продвижение рассола по стенкам под влиянием потока амальгамы. [10]
За последнее время в технологию ИМС на МДП-транзисторах был введен целый ряд усовершенствований, связанных с модификацией диэлектрика под затвором ( замена окисла SiO2 двойным слоем SiO2 / Si3N4 с целью защиты от случайных загрязнений), материала затвора ( использование молибдена или поликристаллического кремния, позволяющее получить лучшее самосовмещение и более плотное размещение элементов), материала подложки ( разработка ИМС на сапфировых подложках); заменой n - подложки с ориентацией ( 111) и-подлож-кой ( 100) с целью снижения пороговых напряжений; уменьшением размеров МДП-структур для повышения быстродействия и увеличения плотности упаковки элементов при пониженной рассеиваемой мощности и меньшей стоимости их изготовления. [12]
Рассмотрим пороговое напряжение Ут более подробно. Величина Vr зависит от материала затвора, плотности поверхностного заряда, толщины подзатворного окисного слоя и концентрации примеси в полупроводнике. В частности, для управления величиной Ут широко используется метод ионной имплантации. [13]
Замена алюминия другим материалом приводит к; изменению фм. В частности, использование в качестве материала затвора сильнолегированного поликристалли-ческого кремния р - типа приводит к сдвигу U0 в сторону положительных значений на 0 9 - 1 1 В. [14]
Для создания кремниевых затворов применяют поликристаллический кремний / - типа, у которого работа выхода меньше, чем у алюминия, используемого в обычных МДП-ИМС. Это приводит к уменьшению разности работ выхода материала затвора и полупроводниковой подложки и, кроме того, к уменьшению заряда поверхностных состояний. Оба эти обстоятельства снижают величину порогового напряжения. [15]
Страницы: 1 2