Материал - затвор
Cтраница 2
 |
Двухслойная алюминиевая разводка. [16] |
В таком случае, вероятно, в качестве материалов затворов и разводки можно будет использовать сами тугоплавкие металлы или тугоплавкие металлы, нанесенные поверх силицидов. [17]
 |
Энергетические диаграммы кремния р-типа ( а и двуокиси кремния ( б. [18] |
Имеет место также другой механизм, способствующий образованию первоначального инверсного слоя. Он обусловлен разностью работ выхода кремния, двуокиси кремния и материала затвора. Рассмотрим сначала искривление энергетических зон на границе раздела полупроводник - диэлектрик, вызванное разностью работ выхода кремния и двуокиси кремния. Однако следует иметь в виду, что работа выхода зависит от концентрации легирующей акцепторной примеси, так как уровень легирования определяет положение уровня Ферми. Работа выхода двуокиси кремния 7psio, для слоев толщиной 1500 - 6000 А составляет - 4 4 эВ, причем двуокись кремния проявляет свойства полупроводника n - типа. [19]
В зависимости от конструкции уплотнения истирание происходит по-разному и зависит от многих факторов: числа циклов ншружения; степени прижатия к стенке резервуара; чистоты поверхности стенки; чистоты поверхности уплотнения; температуры стенки; скорости перемещения уплотнения. Поэтому поверхность стенки имеет ступеньки с неровными краями - следами сварки, которые при перемещениях, механически воздействуют на материал затвора. [20]
В этом слое располагается канал МЕП-транзистора. Затвор транзистора представляет собой полоску силицида вольфрама, его длина 0 8 мкм. Силицид вольфрама выбран в качестве материала затвора потому, что может выдерживать последующие технологические операции, проводимые при температурах свыше 700 С. [21]
 |
Структура МОП-транзистора с индуцированным. [22] |
При подаче на затвор положительного напряжения t / зи электроны начинают перемещаться от подложки к участку поверхности полупроводника, находящуюся у затвора под подзатворным диэлектриком. МОП-транзистора и зависит от толщины и материала подзатворного диэлектрика, материала затвора и степени легирования подложки ( обычно значения С / зи. [23]
Особенностью МОП-транзистора с плавающим затвором является то, что заряд с затвора можно снять, подействовав на него ультрафиолетовым светом большой интенсивности или рентгеновским излучением. Для этого в корпусе ПЗУ выполняется окно и, как только необходимо стереть старую и записать новую программу, ПЗУ облучают ультрафиолетовым светом в течение 20 - 30 мин. Снятие отрицательного заряда с затвора объясняется фотоэлектронной эмиссией: фотоны передают энергию электронам материала затвора и последние эмиттируют с его поверхности, унося в окружающее пространство отрицательный заряд. Если изменить структурную схему канала в МОП-транзисторе, выполнить исток и сток из га-кремния, а основание - из р-кремния, а поверх плавающего затвора нанести изолированный от него управляющий затвор ( рис. 130, б), то получится элемент постоянной памяти о новыми свойствами: если плавающий затвор не заряжен отрицательно, то, подавая на управляющий затвор положительное напряжение, можно перевести МОП-транзистор в проводящее состояние, создав инверсионный n - слой. Если плавающий затвор заряжен отрицательно, то его поле препятствует образованию га-слоя в канале, отталкивая электроны. [24]
Страницы: 1 2