Материал - вывод
Cтраница 3
 |
Схема контактов к пла-нарным приборам. 1 - вывод. 2 - контакт. 3 - слой диэлектрика а. [31] |
К контактам предъявляют ряд требований, от выполнения которых во многом зависят электрические и механические свойства приборов, а также их стабильность и которые могут быть сформулированы следующим образом. TKL полупроводника и материала вывода; представлять стабильную металлургическую систему с полупроводником и материалом вывода ( если контакт является многослойным, то это требование распространяется и на материалы, из которых изготовлены слои контакта); не проникать глубоко в полупроводник ( так как в ряде полупроводниковых приборов р-п-пере-ход формируется на глубине 0 2 - 0 4 мкм); его материал должен позволять проводить фотолитографическую обработку и при изготовлении СВЧ-приборов обеспечивать фотолитографическое разрешение 500 ( и более) линий на миллиметр. [32]
Для наземных РЭС, работающих в отапливаемых помещениях, можно использовать дешевые полимерные полые оболочки ( рис. 4.9), к пластмассовому основанию которых приклеивается пластмассовая крышка. Основной недостаток подобных оболочек заключается в возможности проникновения влаги в результате диффузии через полимерную оболочку, а также по границе вывод - пластмасса при образовании каналов из-за различия ТКЛР материала вывода и пластмассы. [33]
Автомат типа АИСВ-2 предназначен для изготовления телефонных реле и приварки к ним контактов. Выводы реле отличаются от указанных раиее своим диаметром, длиной и конструкцией. Материалом вывода и контакта также являются нейзильбер, платина-иридий или серебро. Автомат работает по принципу ударно-стыковой сварки оплавлением разрядом конденсаторов. [34]
 |
Чувствительные элементы платиновых термометров сопротивления на керамическом каркасе с двумя ( а и четырьмя каналами ( б. [35] |
К двум верхним концам этих спиралей припаянь: короткие платиновые выводы 2 или выводы из сплава иридия с родием ( 60 % родия), к которым привариваются необходимой длины выводные проводники и на них надеваются бусы из керамики. Крепление платиновых спиралей и выводов в каркасе осуществляется глазурью ( или термоцементом) 3, изготовляемой на основе окисей алюминия и Кремния. Коэффициент линейного расширения глазури близок к коэффициентам линейного расширения материала выводов и каркаса. [36]
 |
Балочный вывод кристалла. [ IMAGE ] Паучковые выводы кристалла. [37] |
Для осуществления контактирования кристаллов с шариковыми выводами к платам микросхем в настоящее время применяют установки ЭМ-431, ЭМ-431А, ЭМ-432. Производительность установки ЭМ-431 составляет 400 элементов в час. При этом монтаж может выполняться несколькими методами в зависимости от материала выводов и контактных площадок. В установке ЭМ-432 применен кассетный метод сборки. На инструмент подается импульсный нагрев и УЗ колебания. [38]
Наиболее простым вариантом сборки гибридных ИС является сборка полупроводниковых ИС одной конструкции. Однако такой вариант не всегда возможен: на одной подложке приходится совмещать несколько ИС с различной конструкцией выводов. В этом случае предъявляются повышенные требования к материалам подложки, проводящим пленочным покрытиям и материалу выводов. [39]
Для изготовления оболочки прибор ов применяют стекло, керамику и металлы. Из последних используется обычно медь и железо или сплавы на железной основе. Для обеспечения герметичного спая оболочки с выводами коэффициент расширения стекла или керамики подбирается соответствующим коэффициенту расширений материала вывода. В некоторых конструкциях спаев, называемых напряженными спаями, это правило не соблюдается. При использовании оболочек из металла в них впаиваются стеклянные или керамические изоляторы, сквозь которые пропускаются выводы, в свою очередь герметически спаянные с изоляторами. [40]
Создание надежного паяного соединения при изготовлении узлов РЭА с использованием микросхем со штырьковыми выводами ( типы 1, 2 и 3) не представляет технической проблемы: выводы микросхем облужены, зажаты в металлизированных отверстиях коммутационной платы, площадь паяного соединения относительно большая, пайки осуществляются волной припоя. При поверхностном монтаже все обстоит иначе: небольшая часть вывода свободно лежит на контактной площадке коммутационной платы, а соединение осуществляется оплавлением припоя. К тому же механическая прочность паяного соединения становится критичной к термическим напряжениям, возникающим в соединении из-за различных ТКР материалов вывода и коммутационной платы. Качество паяного соединения определяется формой и размерами монтажных площадок коммутационных плат, размерами выводных площадок и выводов корпусов микросхем, их материалами. Площадь монтажной площадки платы должна быть достаточной для размещения па пси вывода пли выводной площадки микросхемы и занесения дозированного количества припойной пасты. [41]
Создание надежного паяного соединения при изготовлении узлов РЭА с использованием микросхем со штырьковыми выводами ( типы 1, 2 и 3) не представляет технической проблемы: выводы микросхем облужены, зажаты в металлизированных отверстиях коммутационной платы, площадь паяного соединения относительно большая, пайки осуществляются волной припоя. При поверхностном монтаже все обстоит иначе: небольшая часть вывода свободно лежит на контактной площадке коммутационной платы, а соединение осуществляется оплавлением припоя. К тому же механическая прочность паяного соединения становится критичной к термическим напряжениям, возникающим в соединении из-за различных ТКР материалов вывода и коммутационной платы. Качество паяного соединения определяется формой и размерами монтажных площадок коммутационных плат, размерами выводных площадок и выводов корпусов микросхем, их материалами. Площадь монтажной площадки платы должна быть достаточной для размещения на ней вывода или выводной площадки микросхемы и ннесения дозированного количества припоинои пасты. Это дает возможность выполнить разводку между монтажными площадками и исключить случаи образования перемычек из припоя между соседними участками металлизации. [42]
 |
Диодная матрица с гибкими выводами. [43] |
Недостаток конструкции бескорпусных полупроводниковых приборов с гибкими выводами заключается в трудности автоматизации процессов установки приборов в микросхему. Поэтому при сборке активных элементов широко используются приборы с жесткими выводами. На рис. 8.5 схематически показана структура установки транзистора с жесткими сферическими ( шариковыми) выводами. В качестве материала выводов применяют медь и серебро. [44]
Получение сварных соединений выводов схем внахлест с проводниками печатных схем возможно при использовании для сварки станков с параллельным зазором между электродами. Электроды прижимают к выводу корпуса схемы с одной стороны и пропускают через вывод ток. В результате вывод приваривается к поверхности печатного проводника. Качественная сварка возможна при правильном подборе материала выводов, режимов сварки и тщательном контроле сварных соединений. [45]
Страницы: 1 2 3 4