Новый полупроводниковый материал

Cтраница 1

Новые полупроводниковые материалы, Металлургиздат, 1964, стр. [1]

Получение новых полупроводниковых материалов необходимо как для развития прикладной полупроводниковой электроники, так и для изучения зависимостей основных свойств от их химического состава. Сначала необходимо, очевидно, отыскать сочетание разнородных атомов, благодаря которому можно получить фазы с полупроводниковыми свойствами. Далее, изготовив достаточно большое количество таких синтетических материалов и изучив их свойства, можно попытаться установить закономерности изменения их свойств от химического состава и структуры. [2]

Создание новых полупроводниковых материалов с заданными свойствами связано с исследованиями систем из полупроводников. Важное значение имеет физико-химический анализ, разработанный Н. С. Кур-наковым и развитый многочисленными его учениками. [3]

Мы создаем новые полупроводниковые материалы, свойства которых должны отвечать строгим требованиям. [4]

Какие преимущества имеют полученные новые полупроводниковые материалы перед существующими и какое практическое применение могут они найти. [5]

Интересна для получения новых полупроводниковых материалов. [6]

Карбид кремния SiC - новый полупроводниковый материал, который только начинает применяться для изготовления различных полупроводниковых приборов, рассчитанных на работу при высоких температурах. Он представляет собой кристаллическое вещество самой различной окраски: белой, желтой, серой и черной. [7]

Во вторых, изыскиваются новые полупроводниковые материалы и создаются такие технологические режимы изготовления фотосопротивлений, которые должны свести по возможности до минимума указанные выше недостатки. В самое последнее время удалось разрешить многие трудности и получить улучшенные по качеству фотосопротивления. Глубокое понимание процессов, происходящих в полупроводниках, позволяет надеяться, что с течением времени фотосопротивления приобретут те именно достоинства, которых в настоящее время у них еще нет. Подобная уверенность оправдывается всей предыдущей историей, сегодняшним состоянием наших знаний и большими возможностями, которые таят в себе полупроводники. [8]

В связи с поисками новых полупроводниковых материалов, способных обеспечить изготовление транзисторов с улучшенными характеристиками, было обращено внимание на сплавы германия с кремнием. Когда речь идет о сплавах типа твердых растворов ( как это имеет место в данном случае), то концентрации компонент обычно выражаются в атомных процентах, так как электрические свойства твердого раствора, образующего кристалл, непосредственно зависят от числа атомов составляющих его компонент. Когда говорят, что состав сплава соответствует 50 атомн. Заметим, кстати, что отнюдь не новый термин атомные проценты приобрел большое значение в связи с развитием технологии изготовления кристаллических диодов и триодов, для которой характерна особая чистота материала и подсчет чуть ли не буквально каждого атома. [9]

Пленки фуллеритов будут очень эффективны как новый полупроводниковый материал нанометровых размеров для традиционных областей электроники в качестве полевых транзисторов, фотодиодов, в приборах нелинейной оптики. [10]

Лет двадцать тому назад задача создания новых полупроводниковых материалов не ставилась и не мдгла быть поставлена. Если обратиться мысленно к тому времени, когда создавалась наука о полупроводниках и попытаться перечислить существовавшие тогда полупроводниковые материалы, то получим чрезвычайно пеструю картину. Было известно довольно мяого веществ с полупроводниковыми свойствами. [11]

Важнейшая задача химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. [12]

Однако химия полупроводников не просто занимается созданием новых полупроводниковых материалов. [13]

Сейчас ведутся работы по созданию транзисторов из новых полупроводниковых материалов, например арсенида галлия. [14]

Работа туннельного диода в импульсном режиме.| Вольт-амперная характеристика и условное графическое изображение обращенного диода. [15]

Страницы: 1 2 3 4