Cтраница 2
В настоящее время разрабатываются новые типы туннельных диодов, исследуются новые полупроводниковые материалы для них и вопросы замедления старения. [16]
В последние годы все большее внимание для изготовления вентилей получают новые полупроводниковые материалы, обладающие рядом уникальных свойств. [17]
Необходимо отметить, что самые последние достижения в области создания новых полупроводниковых материалов позволяют промышленно производить диоды Шоттки, имеющие значительно большее допустимое обратное напряжение. Примерами могут служить мощные диоды на основе арсенида галлия, а также на основе карбида кремния. Последний тип диодов при допустимом обратном напряжении 600 В имеет типовое значение прямого падения напряжения 1 7 В. [18]
В настоящее время, в связи с повышенным интересом к новым полупроводниковым материалам, вызванным возросшими требованиями к температурным и частотным свойствам полупроводниковых приборов, изучение выпрямляющих свойств аналогов халькопирита представляет несомненный практический интерес. [19]
В связи с быстрым развитием современной техники растет потребность в новых полупроводниковых материалах. [20]
Принципиально новые возможности открываются перед полупроводниковой электроникой при разработке и использовании новых полупроводниковых материалов. [21]
Перспективы дальнейшего понижения предельной температуры и уменьшения потребляемого тока связаны с разработкой новых полупроводниковых материалов, обладающих более высокой эффективностью. [22]
Поскольку области применения полупроводников весьма разнообразны, в настоящее время проводятся интенсивные поиски новых полупроводниковых материалов с различными электрическими параметрами. [23]
Положение резко изменилось, когда в связи с потребностями техники начали проводить широкие поиски новых полупроводниковых материалов. [24]
Возможно, это было первым предложением по использованию оригинальной технологии по выращиванию тонких пленок для создания нового полупроводникового материала с применением принципов квантовой теории. [25]
Обобщен обширный материал по физическим процессам4 происходящим в полупроводниках, что в значительной мере будет способствовать выбору перспективных новых полупроводниковых материалов, предназначенных для решения конкретных практических задач современной полупроводниковой электроники. [26]
Датчики магнитосопротивления также вначале использовались для измерения магнитных полей, но затем были вытеснены более совершенными датчиками Холла на новых полупроводниковых материалах. [27]
Применимость этих формул к сложным полупроводникам, насколько нам известно, почти не проверялась, однако входе исследований, посвященных синтезу новых полупроводниковых материалов и предсказанию их свойств, вышеуказанные методы определения в могут оказать существенную помощь. [28]
Планируется создание керамического двигателя внутреннего сгорания, новых износостойких материалов с использованием методов порошковой металлургии, аморфных и микрокристаллических материалов, новых полупроводниковых материалов для микроэлектроники. Например, применение метода порошковой металлургии дает значительную экономию черных и цветных металлов и на 30 - 60 % снижает затраты труда при изготовлении деталей машин. [29]
Планируется создание керамического двигателя внутреннего сгорания, новых износостойких материалов с использованием методов порошковой металлургии, аморфных и микрокристаллических материалов, новых полупроводниковых материалов для микроэлектроники. Например, применение метода порошковой металлургии дает значительную экономию черных и цветных металлов и на 30 - 60 % снижает затраты труда при изготовлении детали машин. [30]