Некристаллический материал

Cтраница 1

Зависимости удельного сопротивления от концентрации акцепторных р и допори ых л примесей при температуре 298 К для кремния ( а и германия ( б.| Зависимость холловской подвижности основных носителей заряда от удельного сопротивления кремния при 300 К для электронного ( а и дырочного ( б образцов. [1]

Некристаллические материалы, получаемые охлаждением расплава, называются стеклами. [2]

Зависимость коэффициента пропускания Т стеклообразного As2S3 от длины волны X при различной интенсивности нейтронного потока, нейтр / см2.| Зависимость модуля сдвига Д GIG стеклообразного As2Se3 от дозы облучения D. [3]

Особенностью некристаллических материалов, вообще, и стеклообразных, в частности, является их высокая радиационная стойкость. В кристаллических полупроводниках облучение приводит к возникновению большого числа дефектов, в результате чего резко увеличивается их проводимость. [4]

Присутствие высокоориентированного некристаллического материала приводит к сильному повышению температуры плавления, а также к возникновению заметных сил усадки. [5]

Различные виды плотности состояний, которые, как предполагается, могут осуществляться в аморфных полупроводниках ( области, соответствующие локализованным состояниям, заштрихованы. [6]

Концепция плотности электронных состояний дли некристаллических материалов остается справедливой в той же мере, что и для кристаллических. Особо важным является вопрос о состояниях в запрещенной зоне как примесной, так и собственной природы. Энергетический спектр аморфных полупроводников отличается от спектра кристаллических полупроводников наличием хвостов плотности электронных состояний, проникающих в запрещенную зону. [7]

Если волокна сухие, то сравнительная жесткость некристаллического материала ограничивает свободу перемещения фибрилл, вследствие чего поддерживаются высокие концентрации напряжений. Наоборот, когда волокно влажное, перемещения фибрилл могут осуществляться более свободно, концентрации напряжений меньше, а прочность волокна при этом возрастает, что подтверждено экспериментально для натуральных целлюлозных волокон. [8]

К сожалению, такой метод мало пригоден для изучения некристаллических материалов. Однако в стеклообразном полимере местные напряжения недалеко от вершины трещины вызывают изменение микроструктуры, что приводит к оптическим явлениям, которые будут рассмотрены ниже. [9]

Предположим, что г 0 есть скорость света в недеформированном некристаллическом материале. [10]

В общем случае к твердым веществам относят металлические и неметаллические, органические и неорганические, кристаллические и некристаллические материалы. В этой книге рассматриваются только кристаллы неорганических неметаллических соединений, причем особое внимание уделено роли дефектов в кристаллах. [11]

В течение последнего десятилетия в физике твердого тела наблюдается повышенный интерес к структурно-неупорядоченным системам, а именно к некристаллическим материалам. Среди многих причин этого явления здесь целесообразно особо выделить следующую: осознание специалистами того факта, что в данной области исследований мы сталкиваемся с рядом принципиально новых физических явлений, иногда имеющих фундаментальное значение для физики твердого тела в целом. [12]

Поэтому при охлаждении расплава чрезвычайно трудно получить какую-либо конфигурацию взаимного расположения атомов, отличную от кристаллической решетки, и создать таким методом некристаллический материал не удается. [13]

Это выра жение описывает радиальное распределение для любых тел, в том числе кристаллических, аморфных и жидких, и с его помощью no - дифракции излучения длин волн рентгеновского диапазона была исследована атомная структура многих некристаллических материалов. Аналогичные данные получены и для Ge. Отчетливо-видно различие между кривыми функции радиального распределения для аморфного и кристаллического состояний, состоящее в отсутствии для аморфного состояния третьего максимума. Величины г /, отвечающие максимумам функции р ( г), соответствуют радиусам координационных сфер, а площади под кривой ( после надлежащего разделения накладывающихся хвостов от соседних максимумов) - координационным числам. Для аморфного Si первые два координационных числа близки к координационным числам для кристаллического состояния ( 4; 11 6), а третье - практически близко к нулю. [14]

Эти характеристики вещества связаны с потенциальными возможностями изменения его структуры, зависящими от жесткости структурной сетки и устойчивости получаемых структурных форм. Критерием структурного различия разных форм некристаллического материала может служить величина избыточной энергии при О К. Так как энтропия кристалла при О К равна нулю ( теорема Нернтса), то энтропия некристаллического материала при этой температуре Д йк является мерой его структурного беспорядка. [15]

Страницы: 1 2 3