Cтраница 1
Резистивный материал в зависимости от типа резистора может применяться в виде объемного элемента, проволоки различного диаметра или пленки, осажденной на поверхности диэлектрического основания. [1]
Резистивный материал выбирают с учетом удельного сопротивления единицы поверхности пленки ро, ее толщины t, допустимой удельной мощности рассеяния / V Необходимое удельное сопротивление должно обеспечиваться при толщине пленки не менее 0 05 мкм, в противном случае надежность резисторов при повышенных электрических и тепловых нагрузках не гарантируется. Следует учитывать также, что допустимая удельная мощность рассеяния для конкретного резистивного материала определенной толщины зависит от теплопроводности материала подложки и класса чистоты обработки ее поверхности. Поэтому при конструировании микросхем, работающих при повышенной мощности рассеяния, допустимую мощность целесообразно рассчитывать по температуре локального перегрева в зоне резистора, которая не должна превышать 100 С. [2]
Резистивный материал в зависимости от типа резистора может применяться в виде объемного элемента, проволоки различного диаметра или пленки, осажденной на поверхности диэлектрического основания. [3]
Резистивный материал композиционных резисторов представляет смесь тонкодисперсного углерода со связующим веществом. Такая смесь может либо наноситься на изоляционное основание и подвергаться спеканию, либо отливаться в. Имеется два типа композиционных резисторов: объемные и пленочно-композиционные. [4]
Микрофотография резистора из кермета с А1 - контактами после длительного воздействии тока большой плошоети. [5] |
Если резистивный материал сам не электромигирует при плотностях тока, используемых во время испытаний, то металлы контактных площадок могут быть подвержены этому явлению. На рис. 26 [107] отчетливо видна миграция алюминия. [6]
Зависимость дырочной ( /, электронной ( 2 и результирующей ( 3 проводимости от поверхностной плотности адсорбированных атомов кислорода - п, ( а соответствует рис 6 - 24 б б - 6 - 24 а. [7] |
Для пленочных резистивных материалов обычно характерен высокий уровень легирования имеющихся в пленке узкозонных силицидов или кремния. [8]
В пленочных резистивных материалах на основе силицидов хрома и других соединений, являющихся узкозонными полупроводниками, возможен механизм такого типа с существенным повышением удельного сопротивления материала. Рассмотрим этот механизм на примере модели Миндена и Харады, предложенный для узкозонных полупроводников группы PbS [9]: [) А. [9]
Рассмотрим более подробно резистивный материал на основе силицида хрома. [10]
В качестве резистивных материалов на основе чистых металлов применяют хром и тантал. Последний является универсальным материалом для создания пассивных элементов гибридных ИМС, что объясняется его высоким поверхностным удельным сопротивлением в чистом виде и хорошими диэлектрическими свойствами в виде окисных пленок. [11]
Схемы испытания потенциометров. [12] |
Важными свойствами резистивных материалов при оценке их использования в качестве элемента измерителей напряжения являются температурные коэффициенты сопротивления и линейного расширения, предел упругости, сопротивление усталости, легкость гибки и пайки и стойкость против коррозии. Используемыми материалами являются манганин, ад-ванс ( медноникелевый сплав), константан, нихром и никель. Вообще используются материалы той же группы сплавов, которая применяется и для потенциометров. Применение угольных пленок, проводящей резины и других неметаллических материалов возможно, хотя широко не распространено. [13]
Такое полифункциональное использование резистивных материалов только начинает развиваться и сулит большие перспективы. [14]
Рассмотрим более подробно свойства наиболее часто используемых резистивных материалов на основе чистых металлов. [15]