Резистивный материал
Cтраница 2
В наибольшей степени удовлетворяет перечисленным выше требованиям к резистивным материалам медно-никелевый сплав манганин двух марок: МНМцЗ-12 и МНМцА КЗ-12-03-03. Легирование марганцем приводит к малому температурному коэффициенту удельного электросопротивления ТКр в интервале температур - 100 - ьЮО С, что также обеспечивается применением стабилизирующего отжига при температуре 400 С. Повышение содержания никеля снижает удельную термо - ЭДС манганина в паре с медью ( Хю - Добавки алюминия и железа стабилизирующе влияют на удельное электросопротивление, существенно снижая температурный коэффициент. [16]
Для изготовления переменных резисторов, особенно низкоом-ных, необходимо, чтобы резистивный материал имел малое и стабильное во времени контактное сопротивление в паре с применяемым материалом скользящего контакта. [17]
Палладиево-вольфрамовый сплав ( 20 % Wo) применяется в малогабаритных резисторах переменного сопротивления как резистивный материал с большим ресурсом работы и низким уровнем контактных шумов, а также как материал для скользящих контактов. [18]
Практическим аспектом этих ограничений является то, что никакое усложнение оборудования не ускорит разложение резистивных материалов сверх лимита, дозволенного природой взятых организмов. Это ограничение ставит под сомнение создание кратковременных ( 1 - 3-суточных) процессов образования компоста или использование инокулятов, которые ускорят разложение. Другим практическим аспектом является то, что поддержание условий окружающей среды сверх оптимального уровня является напрасной тратой усилий, так как определенный природой потенциал организмов не может быть превзойден. [19]
Сажа, так же как и графит, применяется в качестве проводящего компонента в композиционных резистивных материалах и для изготовления электроугольных изделий. [20]
 |
Технологический маршрут получения резмстивного и проводящего элементов методом двойной фотолитографии. [21] |
При производстве пленочных микросхем, содержащих проводники и резисторы из двух различных ( высокоомного и низкоомного) резистивных материалов, рекомендуется такая последовательность операций: поочередное напыление пленок сначала высокоомного, затем низкоомного резистивных материалов; напыление материала проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; фотолитография низкоомного резистивного слоя; фотолитография высокоомного резистивного слоя; нанесение защитного слоя. [22]
При производстве пленочных микросхем, содержащих проводники и резисторы из двух различных ( высокоомного и низкоомного) резистивных материалов, рекомендуется такая последовательность операций: поочередное напыление пленок сначала высокоомного, затем низкоомного резистивных материалов; напыление материала проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; фотолитография низкоомного резистивного слоя; фотолитография высокоомного резистивного слоя; нанесение защитного слоя. [23]
Номинальное значение сопротивления должно воспроизводиться с высокой стабильностью. Резистивный материал не должен иметь температурного коэффициента и образовывать термоЭДС с медью. Различают эталонный и прецизионные ( образцовые) измерительные сопротивления ( меры) по установленным классам точности. Измерительные сопротивления ( меры), применяемые как эталонные ( и образцовые), должны быть аттестованы. [24]
В зависимости от номинального сопротивления резистора, его назначений и условий эксплуатации в качестве резистивного материала используют металлы и сплавы с высоким удельным электросопротивлением, оксиды металлов, углерод, керметы, композиционные материалы. Резистивный материал в зависимости от типа резистора может применяться в виде объемного элемента, проволоки различного диаметра или пленки, осаждаемой на диэлектрическую поверхность. [25]
 |
Тонкопленочный транзистор. [26] |
В процессе изготовления используется метод фотолитографии. Резистивными материалами могут быть хром, тантал, окиси металлов, специальные сплавы. Сопротивление тонкопленочных резисторов лежит в пределах от долей ома до 1 МОм при толщине пленки до нескольких микрометров. [27]
 |
Достоинства и недостатки различных методов осаждения пленок. [28] |
Одним из аспектов получения резисторов с помощью любого из описанных методов является организация специальной металлургии проводников. Для многих резистивных материалов важно, чтобы проводящий слой осаждался в той же установке, что и резистивная пленка. Это особенно важно для материалов с низким поверхностным сопротивлением. Обычно осаждение пленок из двух различных материалов не представляет сложности при напылении в вакууме или пиролитическом разложении. [29]
Эти сплавы относятся к жаростойким сплавам с высоким удельным сопротивлением и применяются в основном для электронагрева. Некоторые из этих сплавов применяются также в качестве резистивных материалов в проволочных резисторах. [30]
Страницы: 1 2 3