Контролируемый материал

Cтраница 1

Контролируемый материал помещают в катушку радиочастотного колебательного контура ( рис. 23), ось к-рой расположена нормально к магнитному полю. Резонанс наступает тогда, когда частота прецессии магнитного МОРИС. Схема влагомера, использующего явление ядерно-магнитного резонанса: 1 - звуковой модулятор: 2-индикатор уровня высокой частоты; 3 - усилитель высокой частоты и детектор; 4 - усилитель звуковой частоты; 5 -демодулятор; 6 - фильтр; 7 - вторичный регистрирующий прибор; S - генератор высокой частоты; 9 - постоянный магнит; 10 -катушка возбуждения - 11 - контролируемый материал; 12 - катушка высокой частоты. [1]

Контролируемый материал помещается между электродами, при этом его можно рассматривать как параллельное соединение активного сопротивления и емкости. [2]

В контролируемый материал вводится источник нейтронов и сцин-тилляционный детектор медленных нейтронов. Вспышки света, образующиеся при попадании медленных нейтронов в детектор типа Т2, превращаются фотоэлектронным умножителем ФЭУ-19 в импульсы тока, которые воспринимаются измерительной электронной схемой. Влажность отсчитывается по выходному стрелочному микроамперметру, проградуированному непосредственно в процентах влажности материала. [3]

Схема емкостного датчика. [4]

Когда контролируемый материал находится вблизи пластины /, ее емкость возрастает. Нарушение баланса обусловливается сигналом, подаваемым через усилитель 5 в схему управления. Эти емкости подобраны так, что до испытания имеет место резонанс токов. [5]

К контролируемым материалам относятся: основной свариваемый металл, электроды, электродная проволо-ла, флюсы и защитные газы. Контроль их сводится к проверке соответствия данных сертификатов требованиям ГОСТ и ТУ. [6]

Схематич. изображение механизма внешнего фотоэффекта. [7]

Для этого контролируемый материал, находящийся в катушке колобат. Поле / / создается электромагнитом или пост, магнитом и модуляционной катушкой, помещаемой на одном из его полюсов. Когда частота прецессии магнитного момента протонов вокруг направления поля IJ совпадает с частотой радиочастотного генератора, наступает ядерный магнитный резонанс, сопровождаемый резким поглощением энергии поля колебат. Влажность материала определяется по снижению уровня генерации в контуре. Влагомеры, основанные на этом явлении, позволяют определять влажность материалов, содержащих кристаллизац. [8]

Схематич. изображение механизма внешнего фотоэффекта. [9]

Для этого контролируемый материал, находящийся в катушке колебат. Я, направленное перпендикулярно оси катушки. Поле Н создается электромагнитом или пост, магнитом и модуляционной катушкой, помещаемой на одном из его полюсов. Когда частота прецессии магнитного момента протонов вокруг направления поля Я совпадает с частотой радиочастотного генератора, наступает ядерный магнитный резонанс, сопровождаемый резким поглощением энергии поля колебат. Влажность материала определяется по снижению уровня генерации в контуре. Влагомеры, основанные на этом явлении, позволяют определять влажность материалов, содержащих кристаллизац. [10]

Скорость продвижения контролируемого материала - 3, 10 и 25 м / мин. [11]

Внешний вид приборов BI-SORBpoly. [12]

Ампула с контролируемым материалом размещается внутри перевернутого колокола, который открытым нижним концом размещен в сосуде Дьюара с жидким азотом. На ампулу надет нагревательный элемент. [13]

Для расширения диапазона контролируемых материалов применяют мно. [14]

Емкостный преобразователь в виде ртутного термометра. [15]

Страницы: 1 2 3 4