Контролируемый материал
Cтраница 2
Для измерения температуры контролируемого материала применяют известные методы и измерительные преобразователи. [16]
 |
Принципиальная схема прибора для определения содержания воды в нефти. [17] |
При изменении влажности контролируемого материала меняется емкость С, что приводит к нарушению равновесного состояния измерительной схемы и появлению тока, проходящего через миллиамперметр. Сила этого тока пропорциональна измеряемой влажности. [18]
Для расширения диапазона контролируемых материалов применяют мно. [19]
Электрическая цепь замыкается через контролируемый материал, уровень которого может меняться. Если изменяется уровень, то соответственно меняется и величина сопротивления в измерительной цепи. [20]
Согласно этому методу, контролируемый материал подвергают одновременному воздействию постоянного Я0 и переменного Я - - HimSm & t магнитных полей, направленных параллельно поверхности контролируемого материала. [21]
В зависимости от объема контролируемого материала различают сплошной контроль, при котором контролируются все единицы продукции, и выборочный контроль, при котором контролируется относительно небольшое количество единиц продукции из совокупности, к которой она принадлежит. Выборочный контроль, процедуры и правила которого основаны на законах математической статистики, называется статистическим контролем качества продукции. [22]
 |
Структурная схема СВЧ-влагомера сыпучих материалов. [23] |
Тип резонатора определяется видом контролируемого материала: для сыпучих и жидких материалов и листовых - резонаторы щелевого или открытого типа. [24]
Приборы измеряют среднее значение е контролируемого материала. Используются накладные емкостные датчики, обеспечивающие контроль и по криволинейной поверхности радиусом кривизны до 200 мм. [25]
Нижний и верхний пределы толщин контролируемых материалов уточняют в зависимости от технических требований на изделие, производительности и условий контроля с учетом мощности экспозиционной дозы V-излучения на данный момент. [26]
 |
Схема просвечивания сварного.| Расшифровка рентгенограмм. [27] |
В зависимости от химического состава контролируемого материала, толщины и энергии излучения оно ослабляется по определенному закону. [28]
Если соотношение между скоростью движения контролируемого материала и частотой импульсов таково, что остаточный след от одного импульса частично перекрывается следом от другого, то на результатах контроля будет сказываться скорость движения. Поэтому необходимы короткие импульсы и большой промежуток между ними. [29]
Страницы: 1 2 3 4