Cтраница 1
Облучаемые материалы предполагается транспортировать непрерывно по конвейеру в активную зону. [1]
Если облучаемые материалы имеют сложный состав, то-комптоновское поглощение должно наблюдаться у элементов, которые преобладают в смеси. Поглощение моноэнергетического излучения с энергией, при которой комптоновское взаимодействие не играет роли. [2]
Механические свойства некоторых биметаллических труб.| Влияние температуры испытаний на прочность соединения слоев. [3] |
Пересыщение облучаемых материалов вакансиями облегчает протекание н них диффузионных процессов, например распада пересыщенных твердых растворов. [4]
Ширина облучаемого материала ( до 2 м) регулируется разверткой пучка. [5]
Излучение ионизирует молекулы облучаемых материалов, а при достаточной энергии - инициирует ядерные реакции некоторых элементов ( Li, С, Si и Др. Быстрые нейтроны с энергией выше 0 5 Мэв, сталкиваясь с атомами, ионизируют о goo их. Медленные нейтроны с энергией около 0 025 эв не вызывают ионизации. Однако ядра некоторых элементов ( Li, C1, О, N и др.) избирательно их поглощают, после чего испускают а-частицы и протоны. [6]
Это ограничивает количество облучаемого материала и его химический состав, заставляет отдавать предпочтение элементам, окислам или, реже, солям несложного химического состава. [7]
Перечислены основные компоненты облучаемого материала. [8]
При параметрах пучка и облучаемого материала, не приводящих к изменение фазового состояния мишени, уравнение теплопроводности (3.73) и волновое уравнение (3.74) решаются в одной области 0 х I. Значение х 0 соответствует облучаемой, а х I - тыльной поверхности мишени. [9]
В тех случаях, когда облучаемый материал не представляет собой природной смеси изотопов, а обогащен или обеднен одним каким-либо изотопом, указывается именно этот изотоп. [10]
Структурные изменения, возникающие в нерасщепленных. [11] |
Продолжительность задержки зависит от характера облучаемого материала и от дозы ( см. гл. [12]
Изменение механических свойств облученных и облучаемых материалов зависит в основном от характера взаимодействия дислокационной структуры со сложными комплексами радиационных дефектов. [13]
Схема установки для полимеризации на подложке под действием ускоренных электронов. [14] |
Под воздействием ускоренных электронов в облучаемом материале образуются радикалы, ионы и просто возбужденные молекулы. [15]