Готовая матрица

Cтраница 2

После остывания готовую матрицу снимают с формы, наносят проводящий слой, монтируют и завешивают в ванну для наращивания. [16]

Такие платы являются готовыми матрицами, из которых собирают кубы памяти. Числовые линейки в зависимости от распределения отверстий и проводов используют в различных ОЗУ, например линейку с тремя рядами отверстий применяют в ЗУ со считыванием без разрушения и электрической перезаписью информации. В многоотверстных пластинах ( рис. 4.19) зона вокруг каждого отверстия представляет собой как бы один кольцевой сердечник. Ширина этой зоны определяется величиной участка, на котором происходит перемагничивание материала токовыми импульсами. Для исключения взаимного влияния отверстия должны быть расположены на определенном расстоянии друг от друга. Отверстия, расположенные по краям пластины, находятся в несколько отличных условиях от других отверстий и выполняют, как правило, технологические функции. Для нанесения системы проводов применяют различные приемы. Например, плату выполняют так, чтобы над ее поверхностью выступали ребра, расположенные в двух взаимно перпендикулярных направлениях и разделяющие плату на отдельные ячейки. Всю плату, включая ребра и внутреннюю поверхность отверстий, покрывают слоем серебра, а затем его снимают с ребер. [17]

Внешний вид ферритовой платы для ЗУ.| Сечение ферритовой платы для ЗУ. [18]

Такие платы являются готовыми матрицами, из которых собирают кубы памяти. Числовые линейки в зависимости от распределения отверстий и проводов используют в различных ОЗУ, например линейку с тремя рядами отверстий применяют в ЗУ со считыванием без разрушения и электрической перезаписью информации. В многоотверстных пластинах ( рис. 7.5) зона вокруг каждого отверстия представляет собой как бы один кольцевой сердечник. Ширина этой зоны определяется величиной участка, на котором происходит перемагничивание материала токовыми импульсами. Для исключения взаимного влияния отверстия должны быть расположены на определенном расстоянии друг от друга. Отверстия, расположенные по краям пластины, находятся в несколько отличных условиях от других отверстий и выполняют, как правило технологические функции. Для нанесения системы проводов н применяют различные приемы. Например, плату выполняют так, чтобы над ее поверхностью выступали ребра, расположенные в двух взаимно перпендикулярных направлениях и разделяющие плату на отдельные ячейки. [19]

Внешний вид ферритовой платы для ЗУ.| Сечение феррнтовой платы. [20]

Такие платы являются готовыми матрицами, из которых собирают кубы памяти. Числовые линейки в зависимости от распределения отверстий и проводов используют D различных ОЗУ, например линейку с тремя рядами отверстий применяют в ЗУ со считыванием без разрушения и электрической перезаписью информации. В многоотверстных пластинах ( рис. 7.5) зона вокруг каждого отверстия представляет собой как бы один кольцевой сердечник. Ширина этой зоны определяется величиной участка, на котором происходит перемагничивание материала токовыми импульсами. Для исключения взаимного влияния отверстия должны быть расположены на определенном расстоянии друг от друга. Отверстия, расположенные по краям пластины, находятся в несколько отличных условиях от других отверстий и выполняют, как правило, технологические функции. Для нанесения системы проводов Н применяют различные приемы. Например, плату выполняют так, чтобы над ее поверхностью выступали ребра, расположенные в двух взаимно перпендикулярных направлениях и разделяющие плату на отдельные ячейки. [21]

Внешний вид ферритовой платы для ЗУ.| Сечение фррритовой платы АЛЛ ЗУ. [22]

Такие платы являются готовыми матрицами, из которых собирают кубы памяти. Числовые линейки в зависимости от распределения отверстий и проводов используют в различных ОЗУ, например линейку с тремя рядами отверстий применяют в ЗУ со считыванием без разрушения и электрической перезаписью информации. В многоотверстных пластинах ( рис. 7.5) зона вокруг каждого отверстии представляет собой как бы один кольцевой сердечник. Ширина этой зоны определяется величиной участка, на котором происходит перемагничиванпе материала токовыми импульсами. Для исключения взаимного влияния отверстия должны быть расположены на определенном расстоянии друг от друга. Отверстия, расположенные по краям пластины, находятся в несколько отличных условиях от других отверстий и выполняют, как правило технологические функции. Для нанесения системы проводов н применяют различные приемы. Например, плату выполняют так, чтобы над ее поверхностью выступали ребра, расположенные в двух взаимно перпендикулярных направлениях и разделяющие плату на отдельные ячейки. [23]

Расчетные размеры поперечного сечения заготовки должны быть сопоставлены с соответствующими размерами готовой матрицы, при этом размеры матрицы должны вписываться в размеры заготовки. [24]

В каждом из участников такого взаимодействия, взятом изолированно, предсуществует не готовая матрица, соответствующая структуре другого участника, а лишь способность создавать такую матрицу под влиянием второго компонента. [25]

Нами выявлено, что особенности строения переходных поверхностных слоев некоторых поликристаллических материалов служат готовой матрицей для генерации в ней фуллереновых структур углерода. [26]

Как правило, исследователю нет нужды самому заботиться о введении спейсера, так как в продаже имеются готовые матрицы на основе как сефарозы, так и смешанного агарозно-полиакриламидного геля с уже присоединенными спейсерами. В их составе через первичные аминогруппы к BrCN-активирован-ной 4 % - ной агарозе присоединены соответственно 1 6-диаминогексан и 6-аминогексановая кислота. Первая из матриц содержит 6 - 10, а вторая - 10 - 14 мкмоль спейсерных молекул в 1 мл набухшего геля. [27]

Способы сопряжения пуансона. [28]

Пуансоны сравнительно простой формы, доступной для шлифования по всему контуру, после закалки шлифуют на станках с обеспечением зазора по готовой матрице. [29]

При изготовлении матриц могут происходить процессы двух типов: 1) образование активных центров и включение этих центров в матрицу до того, как произойдет распад, и 2) образование активных центров непосредственно в готовой матрице, например фотолитическим путем. В первом случае обычно используются пиролиз, диссоциация в тлеющем или дуговом разряде или же соответствующая химическая реакция. Затем газообразная смесь вещества матрицы и исследуемого образца приводится в контакт с охлажденной поверхностью. Если отношение молярной концентрации матрицы к концентрации образца достаточно высоко, активные центры будут захвачены матрицей и предотвратится возможная рекомбинация. Внедрение в матрицу может произойти даже в том случае, когда исследуемое соединение еще не конденсируется при температуре образования матрицы. К) оказывается включенным в матрицу из четыреххлористого углерода при температурах, значительно превышающих его точку замерзания. [30]

Страницы: 1 2 3 4