Волновая матрица
Cтраница 3
Для реализации обработки сигналов матрицы МКМД могут быть организованы в виде систолических или волновых матриц Систолическая матрица состоит из отдельных процессорных узлов, каждый из которых соединен с соседними посредством упорядоченной решетки. Большая часть процессорных элементов располагает одинаковыми наборами базовых операций, и задача обработки сигнала распределяется в матричном процессоре по конвейерному принципу. Процессоры работают синхронно, используя общий задающий генератор тактовых сигналов, поступающих на все элементы. [31]
При расчете гибридного кольца с последовательно включенными выходными плечами достаточно в приведенных соотношениях для волновой матрицы рассеяния заменить характеристические сопротивления р на проводимости у и изменить знаки перед мнимыми частями. [32]
Дополнив ячейки, соответствующие отдельным тонким слоям линзоподобной среды, гауссовыми диафрагмами, приходим к волновой матрице протяженного участка среды, имеющей наряду с линзоподобностью ( или вместо нее) также и квадратично зависящее от г поглощение. [33]
Расчет таких схем проводился методом направленных графов, но он не описывает достаточно просто все коэффициенты волновой матрицы рассеяния. [34]
Из параметров резонатора в указанные интегральные соотношения входят только определяющие площади интегрирования поперечные размеры зеркал и элементы волновой матрицы. Поэтом / резонаторы, у которых этот набор параметров совпадает, являются эквивалентными. Под эквивалентностью обычно подразумевается тождественность законов преобразования распределений полей на концевых зеркал при обходе резонатора, Отсюда следует, в частности, что эквивалентные резонаторы имеют одинаковые распределения полей собственных колебаний на зеркалах и равные дифракционные потери. Внутри резонаторов распределения полей могут и не совпадать - простейший вариант эквивалентности, приведенный на рис. 2.5, в этом отношении не показателен. Могут различаться также и спектры собственных частот: значения L0 у эквивалентных резонаторов совпадать не обязаны. [35]
Для остальных схем БДМ ( табл. 4.1, вариант II) при выполнении условия согласования ( 6) коэффициенты волновой матрицы рассеяния ( 4) являются частотно-зависимыми. [37]
Полученные в настоящей работе выражения для расчета коэффициентов ч: и Т четырехполюсников СВЧ с ферритами и диэлектриками позволяют определить волновые матрицы рассеяния и передачи соответствующих четырехполюсников. Нетрудно показать, что в случае идеального диэлектрика ( tg6 0), матрица рассеяния унитарна, что лишний раз подтверждает правильность предложенной методики расчета СВЧ-систем с ферритами и диэлектриками. [38]
При переводе сохранены все обозначения автора, хотя некоторые из них нельзя считать удачными; например, автор отходит от общепринятых обозначений волновой матрицы рассеяния. [39]
Приступая к анализу таких резонаторов, необходимо в - первую очередь учесть те соображения, которые высказывались в § 1.1 по поводу возможностей применения волновых матриц для систем, внутри которых имеются обычные диафрагмы. Из этих соображений сразу следует, что в общем случае, когда оба концевых зеркала имеют конечные размеры и реально ограничивают сечения световых пучков, использовать выписанную в (2.9) матрицу полного обхода уже нельзя. Поэтому, применяя (1.12) к такому резонатору, будем считать, что индексы 1 и 2 относятся к левому и правому концевым зеркалам; 5, А и D - как всегда, элементы матрицы, описывающей проход через резонатор от левого к правому зеркалу. [40]
Выражения ( 1) дают коэффициенты Sti для центральной частоты диапазона. Полная волновая матрица рассеяния ШНО имеет громоздкий вид п поэтому здесь не приводится. Результаты численного расчета согласованных трех п четырех - ШНО [80] показаны на рпс. Из сравнения кривых впдно, что при увеличении числа шлейфов полоса рабочих частот заметно растет. [41]
Книга посвящена современным методам синтеза линейных электрических схем, содержащих как активные, так и пассивные элементы. Широко используются классические и волновые матрицы для описания процессов в четырехполюсниках. Серьезное внимание уделяется синтезу фильтров, коррекции частотных характеристик усилителей и применению обратной связи. Рассматриваются активные схемы на электронных лампах и транзисторах. Описаны методы синтеза, представляющие большой интерес для проектирования интегральных схем. [42]
В шестой и седьмой главах вводится волновая матрица рассеяния, с помощью которой автор впервые в литературе проводит анализ схем на транзисторах и на электронных лампах. Наряду с волновой матрицей рассеяния используются классические матрицы многополюсников и четырехполюсников. Значительный интерес представляют матрицы и схемы замещения для каждого из трех диапазонов частот: низких, средних и высоких. [43]
 |
Обозначение нулла-тора н норатора. [44] |
Так как подматрицы М и N в (6.32) особенные, то нуллор не имеет матриц Z и Y. Можно показать, что волновая матрица S тоже не существует. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5