Cтраница 3
Дрейф в основном обусловлен потенциометрической связью между каскадами. [31]
Дрейф приводит к накоплению вещества вблизи оси. [32]
Дрейф в параллельно балансном каскаде не устраняется полностью из-за различия в изменениях параметров транзисторов - сопротивлений схемы. [33]
Дрейф в усилителях с преобразованием определяется дрейфом модулятора. В транзисторных модуляторах дрейф создается в результате нестабильности теплового тока и остаточного напряжения транзистора. Для уменьшения остаточных параметров транзисторов часто применяют инверсное включение транзистора, при котором эмиттер и коллектор меняются местами. Лучший результат дает применение компенсированных ключей, представляющих собой последовательное встречное включение двух транзисторов так, что их остаточные параметры компенсируют друг друга. Остаточное напряжение интегральных переключателей ( микросхемы КЮ1) составляет 100 - 300 мкВ в за вдсимости от типа. [34]
Дрейф пузырьков в колеблющейся вязкой жидкости. В дальнейшем ограничимся рассмотрением лишь таких частных решений системы ( 8), которые описывают движения, близкие к следующему. Центры пузырьков в поступательном движении совершают колебательные движения малой амплитуды, частично увлекаясь колебаниями несущей среды, и вместе с тем двигаются односторонне направленно относительно этой среды. Целью последующего исследования является определить направление и порядок величин скоростей этого односторонне направленного движения, если оно имеет место. В пульсационном движении каждый пузырек совершает колебания, состоящие из колебаний с собственной частотой Г2 и вынужденных - с безразмерной частотой, равной 1, обусловленных колебаниями давления в несущей среде. Амплитуда вынужденных пульсаций пузырьков постоянна. [35]
Дрейф обусловлен двумя причинами - неоднородностью магнитного поля и кривизной силовых линий. Рассмотрим сперва дрейф, обусловленный неоднородностью магнитного поля. [36]
![]() |
Структура диффузионного транзистора ( а, распределение в ней легирующих примесей ( б и результирующее распределение примеси ( в. [37] |
Дрейф может играть существенную роль при переносе неосновных носителей через базу, что и нашло отражение в названии - дрейфовый транзистор. [38]
![]() |
Дрейф и поляризация плазмы в тороидальной ловушке. [39] |
Дрейф в неоднородном поле затрудняет удержание плазмы в тороидальной ловушке. [40]
Дрейф может выражаться также в микровольтах или милливольтах входного напряжения, соответствующего перемещению луча на экране. [41]
Дрейф вызывается изменениями токов и напряжений в усилителе У, связанными с зависимостью параметров его элементов от окружающей температуры и времени. [42]
Дрейф в скрещенных электрических и магнитных полях не зависит от знака заряда. Поэтому в нижней части траектории радиус кривизны будет больше, чем в верхней, а дрейф происходит в ту же сторону, что и при положительном знаке заряда. [43]
Дрейф можно представить себе как движение по окружности вокруг центра, который смещается со скоростью дрейфа уд. [44]
Дрейф перпендикулярен магнитному полю и направлению максимального изменения абсолютной величины магнитного поля. [45]