Дрейф - дырка
Cтраница 1
Дрейф дырок через коллекторный переход снижает их концентрацию в области базы, что создает направленную диффузию инжектиру - емого эмиттером потока дырок. Однако часть дырок, инжектируемых эмиттером, успевает рекомбинировать в области базы, поэтому не все дырки, прошедшие через эмиттерный переход, доходят до коллекторного перехода. [1]
 |
Схема ЛПД типа p - i - n и распределение напряженности поля по структуре. [2] |
Время дрейфа дырок в р - область очень мало, а электронов в п - область через п - и i-слой значительно больше. Таким образом, время действия электронов через область собственной проводимости будет определять диапазон частот, в котором фазный сдвиг между напряжением и током равен 180 и прибор имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. [3]
Под действием этого поля возникает дрейф дырок из п - в р-об-ласть и электронов из р - в n - область. [5]
 |
Структура р - я - Я - ЛПД ( а и профиль электрического поля в я-области ( б. [6] |
Для упрощения полагаем, что предельные скорости дрейфа дырок и электронов одинаковы и равны vs, что полями пространственного заряда, обусловленного свободными носителями, можно пренебречь и что ионизация дырок и электронов происходит с одинаковой скоростью. Больше того, считаем, что ширина лавинной зоны La не зависит от напряжения, приложенного к диоду. [7]
Поскольку область лавинного пробоя имеет малую толщину, время дрейфа дырок в р - области очень мало. [8]
В случае равновесия диффузия дырок из р-области в га-область должна точно уравновешивать дрейф дырок ( за счет поля области перехода) из л-области в р-область. [9]
Из этого граничного условия следует, что при х 0 диффузия и дрейф дырок дают равные вклады в общий ток. [10]
Поскольку у точечно-контактных полупроводниковых триодов, изготовляемых из полупроводников и-типа, линии дрейфа дырок от эмиттера к коллектору могут быть как прямыми, так и изогнутыми, электроны могут поставляться в цепь коллектора из довольно большой области внутри полупроводника, куда эти линии проникают. Поэтому даже в том случае, когда введенных дырок уже не хватает для пропорционального увеличения тока в цепи коллектора, все же из смежных областей полупроводника небольшое количество электронов будет еще извлекаться за счет действия положительного пространственного заряда, а это будет препятствовать образованию слишком резкого излома вольтамперной характеристики. [11]
В том случае, когда в коллекторном контакте протекают значительные электронные токи, естественно ожидать возникновения дрейфа дырок в электрическом поле у коллектора. [12]
Но даже независимо от явления понижения значения а с ростом размеров / г-области увеличивать ее размеры оказывается непрактичным в связи с увеличением времени дрейфа дырок от эмиттера к коллектору, что приводит к ухудшению частотной характеристики. [13]
 |
Распределение напряженности электрического поля при работе ЛПД в TRAPATT-режиме. [14] |
В р - р - п - - структуре ( ЛПД с двойным пролетным пространством) одновременно с дрейфом электронов в n - области происходит синфазный дрейф дырок в р-области. [15]
Страницы: 1 2 3