Дрейф - дырка
Cтраница 2
При подаче на диод обратного ( запирающего) напряжения рассасывание накопленного заряда происходит так, как описано в § 8.2. При этом внутреннее поле способствует дрейфу дырок к р-п переходу и препятствует их распростра нению вглубь базы. Вследствие этого отдаваемый диодом заряд, а соответственно и длительность фазы tit у диффузионных диодов оказываются больше, чем у сплавных с таким же значением тр, но с однородным распределением примесей в базе. [16]
Возникающее при этом поле gg оказывается достаточным для того, чтобы вызвать в базе заметное дрейфовое движение неосновных носителей - дырок. Поскольку дрейф дырок суммируется с их диффузией, скорость перемещения дырок от перехода в базу увеличивается. [17]
 |
Схема ЛПД типа p - n - i - n. [18] |
В остальной части запирающего слоя напряженность поля ниже критической, при которой происходит ионизация атомов решетки, но несколько выше значения, при котором наступает насыщение дрейфовой скорости. Время дрейфа дырок в / - область очень мало, а электронов в гс - область через п-и i-слой значительно больше. Время движения электронов через область собственной электропроводности будет определять диапазон частот, в котором фазовый сдвиг между напряжением и током равен 180 и прибор имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. [19]
Вблизи коллекторного перехода поток дырок попадает под действие электрического поля обратно смещенного р-л-перехода. Это вызывает быстрый дрейф дырок через коллекторный переход в область коллектора, где они становятся основными носителями зарядов и легко доходят до коллекторного вывода. [20]
Коэффициент пропорциональности между этими величинами ц, см2 / ( В-с) называется подвижностью электронов. Аналогичные процессы происходят и при дрейфе дырок в полупроводнике при воздействии на них электрического поля. [22]
Коэффициент пропорциональности между этими величинами in, см2 / ( В-с) называется подвижностью электронов. Аналогичные процессы происходят и при дрейфе дырок в полупроводнике при воздействии на них электрического поля. [23]
С возрастанием амплитуды, с каждым периодом диффузии дрейф дырок в коллекторе возрастает, переход расширяется и пробивное напряжение растет. Равновесие наступает, когда число уходящих в коллектор дырок станет равным числу скапливающихся у поверхности. [24]
 |
Профили распределения легирующей примеси в слоях n - i - p a - Si. Н, полученные с помощью ионного микроанализатора. [25] |
Профили распределения фосфора и бора, представленные на рис. 5.3.2, получены с помощью ионного микроанализатора. Было найдено, что наличие атомов бора в / - слое увеличивает длину дрейфа фотосгенерированных дырок и что наибольшая эффективность преобразования в солнечном элементе со структурой ( ЖО / н - / - р / Нерж. [26]
Здесь заметим лишь, что значительно меньшей инерционностью обладают дрейфовые транзисторы, в базе которых за счет неравномерного распределения атомов примеси создается электрическое поле, обеспечивающее направленный дрейф дырок. [27]
Уравнение ( 18), строго говоря, учитывает только изменение проводимости за счет инжектированных неосновных носителей. Так как в силу условия нейтральности одновременно происходит и инжекция основных носителей тока, то правую часть выражения ( 18) надо умножить на ( l - f - Ь), где b - отношение подвижности дрейфа электронов к подвижности дрейфа дырок. Следует отметить, что это обстоятельство влияет лишь на абсолютную величину ( 18), но не на временную зависимость, которая только нас и интересует. [28]
Эти поля различны по величине и противоположны по направлению. Силы, действующие на электроны и дырки, направлены в одну и ту же сторону - от области с большей шириной запрещенной зоны в сторону области с меньшей шириной запрещенной зоны. В условиях термодинамического равновесия эти поля не приводят к возникновению электродвижущей силы во внешней цепи, но при нарушении равновесия, например при поглощении света, происходит дрейф носителей заряда в сторону узкозонной области. Поскольку обычно электроны имеют большую подвижность, то их скорость дрейфа превосходит скорость дрейфа дырок, благодаря чему происходит пространственное разделение зарядов. Следствием этого является возникновение неравновесного электрического поля, вызывающего ток во внешней цепи. Спектр фоточувствительности варизон-ных структур достаточно широк - от видимой области до 10 - 20 мкм. [29]
 |
Выбор рабочей точки па вольт-амперной характеристике диода для его инвертирования. [30] |
Страницы: 1 2 3