Cтраница 1
Дрейф обратного тока в первые секунды после включения может быть объяснен ростом температуры р-п перехода. Выделяемая на р-п переходе мощность пропорциональна величине обратного тока и поэтому состояние теплового равновесия наступает лишь спустя некоторое время. На рис. 2 представлены дрейфы трех пар диодов, подобранных по величине начального обратного тока при Г125 С. Расхождение линий дрейфа у парных диодов указывает на недостаточность первого параметра для подбора в пары. Необходимо найти фактор, влияющий на различие дрейфа диодов с одинаковым начальным обратным током. Можно предположить, что у этих диодов различны зависимости обратного тока от температуры. [1]
Вид хар-к токового дрейфа ( 3. [2] |
Дрейф обратного тока полностью обратим ( время восстановления быстрого скачка ок. [3]
Схема измерения утечек для транзистора типа р-п - р. [4] |
Картина дрейфа обратного тока во времени может иметь следующий характер. В первый момент включения может наблюдаться скачок обратного тока. Величина обратного тока в момент включения может в несколько раз превышать установившееся значение. Скачок обратного тока может наблюдаться как при малых, так и при больших величинах приложенного напряжения. [5]
Вид хар-к токового дрейфа ( 3. [6] |
Типичные хар-ки дрейфа обратного тока. [7]
К чему приводит дрейф обратного тока. [8]
На рис. 117 приведены кривые дрейфа обратного тока коллектора для прибора типа ГН5 при различных напряжениях на коллекторе, у которого при изготовлении не была полностью удалена влага с поверхности. Для этого вида дрейфа характерно, что при больших напряжениях изменение тока происходит в сторону уменьшения, а при малых напряжениях - в сторону его увеличения. Это объясняется следующими изменениями, происходящими на поверхности под действием напряжения. [9]
Однако даже при этом условии в них наблюдается дрейф обратного тока под воздействием электрических полей на переходах, усиливающийся с ростом напряжения и температуры, при которой проводится выдержка. Мощные высоковольтные пленарные приборы ( со стабилизирующим окисным покрытием) начали появляться только в последнее время; гори этом они по своим допустимым напряжениям уступают приборам аналогичного ( по мощности и напряжению) класса, изготовленным с помощью сплавления или диффузионной меза-технологии. Это происходит не потому, что поверхностные свойства пленарных переходов менее стабильны, чем у находящихся в подобных условиях сплавных или меза-переходов. Более низкое пробивное и допустимое рабочее напряжен-ие пленарных переходов большой площади связано с тем, что конструктивно сплавные и меза-переходы удается изготовить так, чтобы на их поверхности электрические поля были намного меньше, чем в находящихся под таким же напряжением пленарных переходах. [10]
Интересно отметить, что между величиной тока утечки, дрейфом обратного тока и низкочастотными избыточными шумами ( шумами типа 1 / /) существует определенная корреляция. [11]
Исследование дрейфа коллекторного тока для транзисторов, на которых выполняется принцип взаимности и, следовательно могут быть измерены обе составляющие коллекторного тока в отдельности, показали, что дрейф обратного тока коллекторного перехода обусловлен дрейфом тока утечки. Рекомбинационная составляющая обратного тока дрейфу не подвержена. [12]
Изменение обратного тока р-л-псрехода и других параметров приборов приводит к изменению электрических характеристик электронных схем, содержащих полупроводниковые приборы. Дрейф обратного тока зависит от состоянии поверхности и окружающей газовой среды. В вакууме порядка 10 - - 6 - 10 - 7 Па ни на германии, ни на кремнии дрейф не наблюдается независимо от величины обратного тока. При изменении поверхностного заряда приложенным внешним полем в случае образования канала обратный ток возрастает, но дрейф его не наблюдается. Только при очень больших значениях напряжения и нагреве полупроводника наблюдается дрейф тока, причем ток быстро нарастает, что заканчивается тепловым пробоем. [13]
В процессе хранения и эксплуатации приборов возможно изменение ( дрейф) их параметров. Наиболее существенным является дрейф обратных токов переходов и коэффициента усиления транзисторов. [14]
В процессе хранения и эксплуатации приборов возможно изменение ( дрейф) их параметров. Наиболее существенным фактором является дрейф обратных токов переходов и коэффициента усиления транзисторов. [15]