Cтраница 2
Как известно из многочисленных работ, обратимый дрейф параметров полупроводниковых приборов в подавляющем большинстве случаев связан с поверхностными явлениями. Тот факт, что характер дрейфа обратного тока зависит от наличия или отсутствия дефекта, позволяет предположить, что дефекты расположены на поверхности р-п перехода или, во всяком случае, выходят на поверхность. [16]
Положительный дрейф - возрастание обратного тока - при малых напряжениях смещения связан с ростом длины канала. При наличии многослойной адсорбированной пленки воды на поверхности р-л-перехода возможно появление дрейфа обратного тока более сложного характера, поскольку появляется составляющая, связанная с перемещением подвижных ионов в пленке, что вызывает модуляцию поля в р-л-переходе. [17]
Вид хар-к токового дрейфа ( 3. [18] |
Дрейф обратного тока полностью обратим ( время восстановления быстрого скачка ок. Средством уменьшения дрейфа обратного тока может служить обезвоживание поверхности кристалла. [19]