Дрейф - электрон
Cтраница 1
Дрейф электронов не замкнут. В системе б плотность тока имеет все 3 компоненты с существенным преобладанием азимутальной компоненты; собственным магн. [2]
Дрейф электронов через коллекторный переход снижает их концентрацию в области базы, что создает направленную диффузию инжектируемого эмиттером потока электронов. Однако небольшая часть электронов, инжектированных эмиттером, все же успевает рекомбинировать в область базы. [3]
Дрейф электронов обусловливает электрический ток в среде. Перенос же тепла наблюдается и в отсутствие электрического тока. [4]
Дрейф электронов относительно ионов, хотя система и находится ниже порога линейной неустойчивости, обеспечивает свободную энергию для нелинейной неустойчивости. При помощи детальных измерений корреляций в фазовом пространстве ( х, v), возможных только в численном эксперименте, были обнаружены комки и провалы плотности. Как считают эти авторы, подобные явления, не описываемые в рамках теории возмущений, наводят на мысль о применимости стандартных пертурба-тивных процедур. [5]
Когда дрейф электронов в однородной металлической цепи происходит в том же направлении, в каком происходит распространение тепла, то в дополнение к теплу, обусловленному теплопроводностью, прибавляется ( или из него вычитается при противоположном дрейфе) тепло, переносимое электронами. [6]
 |
Схема ионизационной камеры. [7] |
Скорость дрейфа электронов примерно в 1000 раз превышает скорость дрейфа ионов, поэтому t - - С /: за коротким электронным импульсом тока следует более слабый, но продолжительный ионный импульс. [8]
 |
Зависимость скорости дрейфа электронов гу в Не от Х р. показано влияние неупругих столкновений и изменение распределения по энергиям. [9] |
Скорость дрейфа электронов в молекулярных газах не может быть вычислена на основании (4.21), считая х const, так как даже при наименьших значениях Х / р число неупругих столкновений довольно велико. [10]
Механизм дрейфа электронов проводимости в полупроводнике отличается от движения электронов в вакууме под действием силы электрического поля. В полупроводнике электроны проводимости, совершая тепловое хаотическое движение, испытывают столкновения с колеблющимися атомами кристаллической решетки, с атомами примесей и другими неоднородностями решетки. Столкновения не всегда носят упругий характер, например ионизированные атомы примеси могут захватывать электрон и высвобождать его через некоторый малый промежуток времени. [11]
Скорость дрейфа электронов VD в данном случае ( v 0) совпадает с ve, а р и Т вследствие малости параметра ЭГД-взаимодействия считаются заданными функциями. [12]
Скорость дрейфа электронов плазмы может оказаться значительно меньше скорости насыщения, если напряженность электрического поля в слое с плазмой успеет уменьшиться. [13]
Если дрейфу электронов мешает какое-либо взаимодействие с решеткой, так что вероятность для электрона избежать столкновения за время t равна ехр ( - tft), то средняя скорость дрейфа будет ( Ге / те) т, где в и те - заряд и масса электрона. [14]
Поэтому скорость дрейфа электронов зависит от их энергии. [15]
Страницы: 1 2 3 4