Меза-транзистор
Cтраница 1
Меза-транзисторы ( рис. 11.32 s) так же, как и меза-диоды, изготавливаются сразу в большом количестве из одной пластины исходного полупроводника. В пластину 2 кремния р-типа методом диффузии вводятся донорные примеси, в результате чего образуется область 3 с эмиттер-вой проводимостью. Затем на поверхности пластины методом напыления в вакууме создаются узкие чередующиеся полоски из алюминия и золота. Полоски из алюминия 5 служат для создания эмиттерной области, полоски из золота 4 - для получения вывода от базы. После напыления осуществляется вплавление алюминия и золота, а затем - травление части кристалла с защитой небольших областей, расположенных около выводов базы и эмиттера, путем предварительного нанесения специальной маски. К выводам эмиттера и базы припаиваются выводные проводники и кристалл помещается внутрь герметического корпуса. [1]
Меза-транзисторы могут быть получены также путем двойной диффузии ( доноров и акцепторов) вместо вплавления примесей. [2]
Меза-транзисторы характеризуются выступом базовой и эмиттерной областей над полупроводниковым основанием ( коллектором), который образуется при стравливании части пластины кремния после проведения диффузии. [4]
Эпитаксиальный меза-транзистор с диффузионной базой принадлежит к числу транзисторов с эпитак-сиальными коллекторами. Эти транзисторы изготовляются методом диффузии, сплавления и эпитаксиального наращивания. Сначала наращивается тонкая коллекторная область на низкоомной подложке. Затем образуются базовая область с неоднородным распределением примесей и переход коллектор - база диффузией из газовой фазы в эпитаксиальную коллекторную область. [5]
Эпитаксиальный меза-транзистор с двойной диффузией также принадлежит к числу транзисторов с эпитаксиальным коллектором. Тонкая коллекторная эпитаксиальная пленка наращивается на низкоомной подложке. [6]
Структура меза-транзистора: 1 - эмиттерный электрод ( А1); 2-диффузионный базовый слой ( п) 3 - базовый электрод; 4 - исходный Ос или Si ( р); 5 - рекристаллизов. [7]
Стадии изготовления меза-транзистора показаны на рис. 7.13. Кристалл полупроводникового материала, например кремния, легируют бором или галлием. Затем поверхность маскируют окислом кремния и методом фотолитографии вскрывают окна под диффузию примеси для со-создания эмиттерного перехода. Проведя диффузию, пластины покрывают маскирующим составом, например воском или фоторезистом, и с помощью стравливания получают так называемый меза-выступ желаемой геометрии. [8]
Значительным преимуществом меза-транзисторов в логических схемах является то, что важнейший ограничивающий параметр при конструировании схемы ( коэффициент усиления транзистора) возрастает при увеличении тока. Поэтому уменьшение времени задержки может быть достигнуто путем увеличения рабочих уровней тока. Это приводит к увеличению мощности рассеяния, поэтому целесообразно использовать эпитаксиальные приборы, имеющие более низкое остаточное напряжение. Эпитаксиальная техника позволяет еще более увеличить коэффициент передачи тока и снизить емкости прибора при той же геометрии меза-структуры. [9]
Коллекторные хар-ки кремниевых эпитакси-альных и обычных меза-транзисторов ( для обычных - пунктирными линиями): / к-ток коллектора; икэ - напряжение коллектор - омиттер. [10]
Рассмотрим теперь возможность использования меза-транзистора для получения прямой АРУ. [11]
 |
Сплавной транзистор TF 80. [12] |
На рис. 11 показаны детали меза-транзистора. Следует отметить малые габариты самой транзисторной системы ( справа), размеры которой составляют от 10 до 100 км при толщине базы менее 2 мк. [13]
Методами последовательной диффузии изготавливают планар-ные и меза-транзисторы. Для их создания применяют способ локальной, избирательной диффузии с маскировкой с помощью пленки окисла. [15]
Страницы: 1 2 3