Меза-транзистор

Cтраница 2

Наибольшее значение сопротивление гкк имеет у сплавно-диф-фуаионных и меза-транзисторов с массивным коллектором, у которых оно ( особенно в случае кремниевых транзисторов) нередко составляет десятки ом. Кроме того, в таких случаях затрудняется использование метода узловых напряжений при статических расчетах, так как в этом методе транзистор считается эквипотенциальной точкой. [16]

Структура меза-транзистора. [17]

Из рис. 4 - 51, а видно, что меза-транзистор характерен малыми пло щадями эмиттерного и коллекторного переходов и одновременнс большой площадью коллекторного слоя. Эти особенности обеспечиваю малую величину барьерных емкостей и сравнительно малое сопротив ление коллекторного слоя, хотя большая толщина последнего являете. [18]

На рис. 10 показан общий вид ( на фоне миллиметровой бумаги) одного из меза-транзисторов на 50 мет и 250 Мгц. [19]

Этапы изготовления планарного транзистора. [20]

В таком варианте коллекторный слой оказывается столь же тол стым, а значит, высокоомным, как и в меза-транзисторе. [21]

Из приборов, получаемых электрохимическим способом, заслуживают особого внимания лишь диффузионные микросплавные транзисторы, которые вполне конкурентоспособны в отношении диффузионных меза-транзисторов. Их главное преимущество - малое падение напряжения и малый обратный ток, вследствие чего только на этих приборах удается практически выполнять схемы с непосредственной связью. [22]

Стравливанием электронного слоя германия вокруг электродов эмиттера и базы получают коллекторный переход малого диаметра ( 0 15 - 0 20 мк), чем достигают значительного повышения частотных свойств триодов. Меза-транзисторы имеют предельные частоты усиления по току до 500 Мгц. [23]

Быстрое развитие интегральной электроники в значительной степени объясняется успехами полупроводниковой и пленочной технологии, достигнутыми в конце пятидесятых и в начале шестидесятых годов. На смену меза-транзистору ( сплавному) пришел кремниевый планарный транзистор, а обычные дискретные компоненты были заменены диффузионными или тонкопленочнымк элементами, которые одновременно ( групповой метод) изготовляются на одной монолитной кремниевой пластине. Последнее не только оказало огромное влияние на промышленное производство радиодеталей и электронных компонентов, но и обусловило появление новых методов в схемотехнике. Обычные проводниковые соединения между различными компонентами схемы были заменены системой межсоединений, которая путем напыления наносится непосредственно на подложку. При изготовлении интегральных микросхем используются материалы, процессы и технологические приемы, хорошо изученные и применяемые в электронной и других отраслях промышленности. [24]

Для уменьшения сопротивления насыщения на низкоомную подложку с рм 5 - 10s Ом - м ( 0 005 Ом-см) толщиной 100 - 200 мкм наносится высокоомный эпитаксиальный слой нужного удельного сопротивления толщиной 6 - 10 мкм, в котором и формируется пленарная или меза-транзисторная структура. Обычно для планарных и меза-транзисторов, изготовленных на пластинах с эпитакеиальным слоем, последовательное сопротивление тела коллектора, а следовательно, и падение напряжения на нем, в 3 - 10 раз меньше, чем у транзистора, изготовленного обычным спосо-бом. [25]

Кроме того, он полностью выполняется в тонком эпитак-сиальном слое и большая его часть прикрыта двуокисью кремния. По своим размерам он значительно меньше своего предшественника меза-транзистора. На одной подложке ( так называют тонкий диск кремния) одновременно изготовляют несколько десятков или даже несколько сотен транзисторов. [26]

Однако эпитаксиальная пленка может создаваться и на другом материале. Планарный но известны также под названием эпитак-транзистор с двойной спальных меза-транзисторов с диффузяон-диффузией. [27]

Схема мультивибратора. [28]

Несмотря на то, что многие из них применялись при производстве меза-транзисторов, наиболее полно их технологическая эффективность была выявлена в процессе отработки технологии производства твердых схем. [29]

Несмотря на то, что многие из них применялись при производстве меза-транзисторов, наиболее полно их технологич. [30]

Страницы: 1 2 3