Место - пробой
Cтраница 4
Этот способ основан на том, что место пробоя может быть точно установлено. Если это не так, не должно быть допущено ни одного пробоя. [46]
Серьезной задачей является увеличение однородности поля в месте пробоя; это условие соблюдается только в образцах с лунками ( рис. 6 - 2) при небольшой толщине Л диэлектрика в центральной части; наибольшая напряженность поля будет в этой центральной части; здесь, где поле может считаться однородным, и происходит пробой. Под влиянием краевого эффекта пробой образца чаще всего происходит у края электрода, в неоднородном поле. Для выравнивания электрического поля при испытании на пробой образец с электродами помещают в среду, имеющую высокую электрическую прочность и одновременно высокую диэлектрическую проницаемость. [47]
 |
К расчету поля. [48] |
Серьезной задачей является увеличение однородности поля в месте пробоя; это условие соблюдается только в образцах с лунками ( рис. 3 - 20), при небольшой толщине h rrj диэлектрика в центральной час-ти; наибольшая напряженность поля будет в этой центральной части; здесь, где поле может считаться однородным, и происходит пробой. [49]
Если при испытании произошел пробой кабельной линии, то место пробоя должно быть обследовано и должна быть выяснена причина повреждения. При обследовании производится разборка поврежденного участка кабеля, концевой или соединительной муфты в стационарной лаборатории с привлечением независимых специалистов и составляется протокол разборки. Если для ремонта линии после пробоя не требуется производить вырезку поврежденного участка, то анализ причины повреждения должен производиться на месте ремонта. [50]
 |
Вид кабеля и отдельных бумажных лент после теплового пробоя. Кабель покрыт металлизированной перфорированной бумажной лентой. [51] |
В описанном случае температу - ра изоляции у жилы в месте пробоя достигала 200 С. [52]
Большие электрические поля могут привести к пробою диэлектрика; в месте пробоя создается электронно-дырочная плазма, и при рекомбинации носителей могут образовываться экситоны. Если поле сильно локализовано, то при пробое кристалл не разрушается, и в области высоких полей можно наблюдать электролюминесценцию. Если такой электрон столкнется с молекулой, то может произойти ионизация с последующей рекомбинацией, приводящей к электролюминесценции. [53]
 |
Схема определения места пробоя изоляции обмотки на корпус. [54] |
Этот метод часто не дает результата, если проводники в месте пробоя оплавились и образовали хороший электрический контакт между обмоткой - и корпусом, который при подключении напряжения на обмотку нагревается не так сильно и его место нельзя найти по дыму. [55]
 |
Схема испарения металлов при металлизации синтетических пленок. a - испарение цинка. [56] |
Это имеет значение потому, что на деметаллизи-рованной площади, окружающей место пробоя, всегда могут быть следы окислов металла, а с применением цинка эти следы будут проводящими. Кроме того, имеются сведения о том, что при рекристаллизации цинк может давать тонкие длинные кристаллы - усы, которые могут приводить с течением времени к короткому замыканию обкладок в месте самовосстановления. [57]
 |
Схема замещения для анализа перенапряжений в процессе прожигания. [58] |
Другой причиной повышения напряжения на изоляции может быть погасание дуги в месте пробоя при значительном положительном напряжении на конденсаторе колебательного разрядного СХпгп-контура. Но при заплывающих пробоях иногда, а не часто, как указано, например, в [22], могут возникнуть специфические условия. Они заключаются в том, что дуга гаснет при значительном положительном напряжении [ / ост на разрядном промежутке, а следовательно, и на конденсаторе С. В повторном процессе ( если он имеет колебательный характер) кабель зарядится до еще большего отрицательного напряжения: до - U0 - ( ост) - Если пробивное напряжение разрядного промежутка также возрастает, а погасание дуги вновь произойдет в положительный полупериод собственных колебаний разрядного контура, то возможно дальнейшее повышение напряжения на изоляции. [59]
Пробой кабеля маломощной выпрямительной установкой не приводит обычно к созданию в месте пробоя хорошо проводящего мостика, что весьма затрудняет отыскание места повреждения. Для устранения этого недостатка иногда применяют прожигание места повреждения от мощной выпрямительной установки на относительно низкое напряжение 3 - 6 кв, с помощью которой через место пробоя пропускается ток в 2 - 5 а, вплоть до образования хорошего контакта между жилой и оболочкой. После этого определение места пробоя проще всего может осуществляться импульсным методом, основанным на регистрации интервала времени между моментом посылки импульсной волны в линию и моментом прихода отраженного сигнала. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5