Cтраница 1
Коммутирующие дроссели могут выполняться также на тороидальных, П - или Ш - образных сердечниках ( без воздушного зазора) из ферритов, карбонального железа и других магнитодиэлектриков. [1]
Коммутирующие дроссели могут быть выполнены линейными на сердечниках с зазором или нелинейными - насыщающимися ( см. гл. [2]
Коммутирующий дроссель и шунтирующий конденсатор обеспечивают безыскровое размыкание контактов. [3]
Коммутирующий дроссель ШИП работает в режиме вынужденного намагничивания, так как активное сопротивление цепи разряда конденсатора ничтожно мало, а ток управления / у z & const. В этом случае ток рабочей обмотки дросселя, равный току разряда конденсатора, остается постоянным на каждом из интервалов движения рабочей точки сердечника по нисходящей t и восходящей t ветвям гистере-зисной петли. [4]
![]() |
Функциональная схема макета системы управления АЙН ( а. [5] |
Напряжение на коммутирующем дросселе имеет разный знак в зависимости от производной изменения тока. [6]
Эта формула для коммутирующих дросселей, работающих в естественном режиме, позволяет найти типовую мощность по электри - 1еским параметрам WrL, f, & ф и величине максимального допустимого терегрева его обмотки тм. [7]
![]() |
Схема трехзвенного магнитного модулятора с искусственной линией. [8] |
Затем насыщается сердечник коммутирующего дросселя L2) и конденсатор С 2 заряжает искусственную линию. [9]
![]() |
Схема трехзвенного магнитного модулятора с искусственной линией. [10] |
Так как индуктивности коммутирующих дросселей уменьшаются от секции к секции, то соответственно будут уменьшаться длительности разрядов и увеличиваться разрядные токи. Поэтому в многозвенном магнитном модуляторе оказывается возможным формировать импульсы длительностью в десятые доли микросекунды, с импульсной мощностью в десятки мегаватт. Наличие в последней секции искусственной линии обеспечивает хорошую, близкую к прямоугольной, форму импульса. [11]
В конце полупериода насыщается коммутирующий дроссель L, его сопротивление резко уменьшается и открытый мощный транзистор форсированно закрывается за счет разряда через один из диодов VD1, VD2 накопленной в дросселе энергии. [12]
Расчет потерь в стали коммутирующих дросселей или трансформаторов является необходимой составной частью проектирования коммутационной аппаратуры ШИП. Поэтому необходимо оценить степень влияния постоянной составляющей индукции В0 на величину потерь в стали Яст. [13]
![]() |
Конструкция магнитного коммутатора. Ток в цепи подмагничивания. [14] |
Для подмагничивания на сердечник коммутирующего дросселя 1-го каскада наматывают специальную обмотку подмагничивания, состоящую из шп витков. [15]