Cтраница 1
Насыщаемые металлы, как правило, должны образовывать менее устойчивые галогениды, чем диффундирующие элементы. [1]
![]() |
Изменение термодинамического потенциала образования хлоридов алюминия и хлористого водорода в зависимости от температуры. [2] |
При поглощении алюминия насыщаемым металлом реакции ( а), ( б) будут протекать достаточно интенсивно. [3]
Существенную роль играет тип кристаллической решетки насыщаемого металла; чем компактнее упаковка атомов металла, тем труднее протекает диффузия вследствие меньшей подвижности атомов в этой плотной решетке. [4]
Какими особенностями должна обладать диаграмма состояния системы насыщаемый металл - насыщающий компонент для осуществления химико-термической обработки. [5]
Представляло интерес исследовать, как влияет температура насыщаемых металлов и кремниевой ячейки, а также градиент температур между ними на скорость роста силицидных покрытий. [6]
Третья стадия - диффузионное проникновение элемента в глубь насыщаемого металла, которое сопровождается образованием твердых растворов или фазовой перекристаллизацией. [7]
Выделяющийся в атомарном состоянии кремний осаждается на поверхности насыщаемого металла и взаимодействует с ним, образуя силицидные слои. Процесс газового силицирования проводят обычно в специальных реакторах путем пропускания над поверхностью металла, нагретого прямым пропусканием тока или токами высокой частоты, газовой смеси, состоящей из галоидных соединений кремния и водорода. На состав образующегося силицидного слоя и кинетику процесса должны оказывать влияние температура и время насыщения, состав и давление газовой смеси, скорость прохождения газового потока через реакционное пространство. [8]
Взаимодействие паров активатора или продуктов его разложения с поверхностью насыщаемого металла и насыщающих компонентов должно, по возможности, приводить к удалению или восстановлению окисных пленок. [9]
Первой стадией взаимодействия паровой и газообразной фаз с поверхностью насыщаемого металла является их хемосорбция. [10]
Процессы в приповерхностных зонах состоят в диффузии сорбированных атомов в насыщаемый металл. [11]
По мнению многих авторов, если диффундирующий элемент может растворяться в насыщаемом металле, то всегда существует инкубационный период до начала образования химического соединения, и реактивной диффузии предшествует гетеродиффузия. Когда диффундирующий элемент не растворяется в насыщаемом металле, с самого начала происходит реактивная диффузия с образованием интерметаллического соединения. [12]
Для интенсификации роста диффузионного слоя нужно уменьшить скорость диффузии насыщающего элемента в насыщаемом металле, а также уменьшить стабильность кристаллической решетки исходной фазы. [13]
![]() |
Схемы механизма диффузии. [14] |
При диффузии по вакансионному механизму образовавшиеся при диссоциации атомы диффундирующего элемента адсорбируются поверхностью насыщаемого металла, занимая места вакансий. Диффузия адсорбированных атомов совершается в результате обмена мест атомов с вакансиями. С повышением температуры увеличиваются тепловые колебания атомов и растет число вакансий в решетке, что ускоряет процесс диффузии. [15]