Метод - реактивное распыление
Cтраница 1
Метод реактивного распыления п тлеющем разряде на постоянном токе, описанный в гл. Степень окисления пленок, получаемых катодным распылением, может контролироваться в широких пределах за счет управляемого добавления кислорода в аргон. Этот метод был применен Холландоы и др. [90] для получения полупроводниковой окиси кадмия. За исключением окислов гафния и иттрия, электрическая прочность образцов не зависела от металла обкладок. [1]
Метод реактивного распыления был использован для синтеза только нескольких бинарных и тройных нитридов. Тем не менее простота приготовления, высокое качество получаемых нитридов и легкость контролирования состава показывают, что этот метод для некоторых целей лучше описанного выше метода реакции в газовой фазе. [2]
Метод реактивного распыления дает возможность кристаллизовать многие соединения, так как металлы обычно легко распылить, а ионы неметаллических соединений можно ввести в виде реагентного газа. [3]
Метод катодного реактивного распыления, характеризующийся постоянной разностью потенциалов между катодом и подложкой ( 2 - 5 кВ), применяется для синтеза тонких окисных, нитридных, карбидных пленок в потоке кислорода, азота, метана при давлении 133 - ( 10 - 10 - 3) Па. Используя, например, азотную плазму и кремниевый катод, получают покрытие из нитрида кремния. Ионы азота N выбивают из катода атомы кремния, которые вступают в реакцию с азотом. Образовавшийся нитрид кремния Si3N4 ( с нарушенной в той или иной степени стехиометрией) осаждается на подложке. [4]
Пленки тантала формируются на подложке методом реактивного распыления с последующей подгонкой удельного поверхностного сопротивления до 50 Ом методом анодного окисления. Конфигурацию резистивных и конденсаторных схем воспроизводят методом ионного травления пленки алюминия через маску фоторезиста. В качестве изолирующего слоя применяют пленки окиси кремния. Диэлектрический слой конденсатора создают методом селективного анодного окисления тантала. Верхние электроды конденсаторов, межсоединения и контактные площадки формируют методами напыления слоев хрома и золота. [5]
Хорошо известно, что пленки a - Si: H, полученные методом реактивного распыления, могут содержать атомы инертных газов. [6]
 |
Устройство для нанесения пленок сульфидов с помощью комбинации методов реактивного и химического распыления. [7] |
Несмотря на то, что о возможности ионного распыления диэлектриков известно уже давно [116], тонкие пленки диэлектриков до недавнего времени наносились лишь методом реактивного распыления. [8]
 |
Зависимость удельного сопротивления пленок тантала от парциального давления.| Характерные рабочие области режимов. [9] |
Прямое катодное распыление диэлектриков одним из высокочастотных методов оказывается более эффективным. Поэтому метод реактивного распыления используется в основном для получения высокоомных резисторов. [10]
Другим методом создания танталовых конденсаторов является осаждение диэлектрика на слой металла, например алюминия, который служит в качестве нижнего электрода. Затем на поверхность алюминия наносится пятиокись тантала методом реактивного распыления, после чего следует напыление верхнего электрода. Реактивное распыление диэлектрических пленок Ta2Os выполняется в атмосфере, состоящей из 50 % аргона и 50 % кислорода при давлении в камере 6 Па. [11]
 |
Зависимость скорости нанесения пленок смешанных окислов свинца и теллура от катодного напряжения. [12] |
Ими исследовались в основном окислы тантала и алюминия. Характерной особенностью этих исследований является изучение условий получения монокристаллических пленок изолирующих материалов методом реактивного распыления. Установлено, что эпитаксия возможна только в относительно i3KOM диапазоне парциальных давлений химически активного газа. [13]
В последние годы все большее распространение получают традиционные методы осаждения из газовой фазы, с помощью которых удается существенно увеличивать скорость роста пленок, по сравнению с методом тлеющего разряда. Неплохие результаты дает и гидрирование аморфных пленок, напыленных в условиях высокого вакуума путем имплантации в них ионов водорода, а также метод реактивного распыления. [14]
Однако эти фотошаблоны обеспечивали малую износоустойчивость и разрешающую способность. В 1969 году появились сообщения о разработке транспарентных ( полупрозрачных) фотошаблонов на основе органических материалов [224] и на основе пленки из окислов металлов [237] и, в первую очередь, на пленке окисла железа Fe2O3, получаемой методом реактивного распыления. [15]
Страницы: 1 2