Cтраница 4
Другие авторы исследовали наращивание кремния на подложках Ge; были получены монокристаллические пленки методом сублимации в вакууме при скорости 14 А мин 1 при 830 С. Ньюман [144] показал, что пленки Si, выращенные на Ge, имели высокую плотность дефектов упаковки и изгиб, возникающие, по-видимому, из-за несоответствия параметров решеток. Кроме того, наблюдалось растрескивание пленок, вызванное разницей в коэффициентах термического расширения. [46]
Разработка технологии получения иода металлического марки ч и чда из технического иода и иодпасты методом сублимации, Отч. [47]
Результаты измерений электрических свойств кристаллов карбида кремния особой чистоты показывают, что классический способ очистки методом сублимации может быть применен без существенного усложнения для получения гораздо более совершенного по содержанию примесей материала, чем это удавалось до проведения данного исследования. [48]
Если вещество обладает высоким давлением пара и испаряется без разложения, его кристаллы можно получить методом сублимации. Аппаратурное оформление метода разнообразно: проточные системы с использованием инертного газа-носителя; замкнутые системы ( часто это отпаянные кварцевые трубки), как вакуумированные, так и заполненные газом. [49]