Метод - химическое травление
Cтраница 2
Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1, д), получаемая методом глубоко химического травления. В результате первой общей диффузии создается л - 5ьслой в кристалле n - типа. После второй общей диффузии, формирующей р-слой в кристалле кремния, образования омического контакта и защиты отдельных участков кристалла через маску осуществляется травление поверхности его незащищенных участков. В результате р-п-пере-ход остается только на небольших участках кристалла под омическим контактом. Диаметр p - n - перехода после травления уменьшается до нескольких десятков микрометров. [16]
Оптический метод не может выявить наличие 180 -ных доменов, поскольку оптические индикатрисы в них имеют одну и ту же ориентацию В этом случае на помощь при ходит метод химического травления поверхности образцов. [17]
Глубина поврежденного слоя при резке абразивным обдувом и шлифовании была исследована путем изучения вольтампер-ных характеристик анода из германия, полученных после того, как различные количества поврежденного материала были удалены методом химического травления. Такое количество материала должно было быть удалено, даже если образец после шлифования полировали до получения зеркальной поверхности. Можно полагать, что вольтамперная характеристика барьера электролит-германий обнаруживает местные ( локальные) повреждения. В несколько измененном виде этот метод был применен для изучения глубины поврежденного слоя при резке абразивным обдувом. [18]
Исходя из требования допустимого перегрева печатных проводников ( 80 С), для них экспериментально установлена допустимая плот-ноеть тока 7допгОтга равна - 20 - А: % м2 для проводников, полученных электрохимическим способом, и около 30 А / мм2 - для проводников, полученных методом химического травления. [19]
Конфигурации наиболее распространенных типов пленочных резисторов показаны на рис. 14.28, а способы сочленения отдельных частей резисторов сложной формы - на рис. 14.29. Следует отметить, что придавать резисторам форму, изображенную на рис. 14.28, г, не рекомендуется, тан как сопротивление таких резисторов зависит от ошибок совмещения масок при использовании метода вакуумного напыления через маски или фотошаблонов при использовании метода химического травления. Незагемненными участками на рис. 14.28, 14.29 отмечены контактные площадки. [20]
Все вышеприведенные методы, за исключением химического, требуют сложной аппаратуры и значительного времени. Метод химического травления состоит в том, что отполированную пластину или кристалл помещают на несколько минут в специальный травитель. После травления и промывки от поверхности образца с помощью микроскопа ( например, МИМ-7) обнаруживаются ямки травления, которые являются местом выхода дислокаций на поверхность. Определяя число этих ямок, можно узнать плотность дислокаций. [21]
Структура частицы порошка сплава ПН77Х15СЗР2 показана на фото 19, а. Методом химического травления выявлено четкое дендритное строение частицы. Изменение температуры оплавления заметно отражается на структуре, а следовательно, и на свойствах покрытий. Результатом огрубления структуры самофлюсующихся сплавов является снижение механических свойств покрытий. Особенно тщательно необходимо контролировать размер выделений упрочняющей фазы, которая, согласна литературным данным и результатам исследований, полученным в Лаборатории ИГД СО АН СССР, представлена карбидами, боридамц и карбоборидами хрома, борокарбидами никеля. [22]
Элементы транзисторного коммутатора, кроме транзисторов 77, ТЗ, диодов Д6, Д7, конденсатора С1 и резистора R3, смонтированы на печатной плате из одностороннего фольгированного стеклотекстолита толщиной 2 мм. Печатная плата изготовлена методом химического травления, причем печатные проводники должны быть максимально возможной ширины при расстояниях между ними не менее 2 мм. [23]
Выявление ямок травления было произведено методом избирательного химического травления. [24]
Наиболее благоприятным для снижения градиента температур является нанесение тонкой пленки сплошным слоем на однородную подложку. Это возможно в случае применения фотолитографической технологии с использованием метода селективного химического травления. [25]
Кодовый рисунок может быть нанесен на поверхности диска в виде концентрических колец или на плоскости в виде маски, расположенной перед экраном электронно-лучевой трубки. Кодовый рисунок может быть образован из электропроводящих и непроводящих элементов методом химического травления, из прозрачных и непрозрачных элементов фотохимическим способом, ферромагнитных и немагнитных элементов. [26]
Точками на графике отмечено истинное положение фронта кристаллизации, сплошной линией - реальное изменение длины монокристалла, а тонкой линией - идеальное изменение длины монокристалла. Рядом с ординатой графика показано расположение групп полос роста ( заштрихованные области) и межполосных промежутков, выявленных методом химического травления. [27]
Проведенные в последнее время опыты показали, что поверхность германия, протравленная в едком кали при подаче на нее положительного напряжения, более предпочтительна, чем поверхность, очищенная методом химического травления. Так, например, тянутые переходы, протравленные электролитическим способом, сохраняют низкие значения обратного тока даже при выдержке в среде с относительной влажностью 50 % в течение 24 час. В переходах, подвергнутых химическому травлению в тех же условиях, имело место 100 % - ное изменение обратного тока. [28]
Логические элементы, расчет которых выполняется в соответствии с правилами, изложенными в § 14.7 - 14.13, могут быть реализованы в интегральном исполнении. Не останавливаясь на расчете компонентов схем, выполняемых на основе монолитных интегральных структур ( так как этот вопрос имеет узко специальный характер и рассматривается в самостоятельном разделе полупроводниковой техники), в данном параграфе излагаются основные правила по проектированию пассивных компонентов гибридных интегральных схем ( пленочных резисторов и конденсаторов), изготавливаемых методом вакуумного напыления через маски или методом химического травления и располагаемых на подложке в одной плоскости, а также приводится методика расчета емкостных связей между печатными проводниками. Основные правила и исходные данные по проектированию топологии гибридных микросхем, рекомендуемые размеры подложек и характеристики исходных материалов приведены в § 8.1 настоящего справочника. [29]
 |
Схемы преобразователей считывания угла поворота в код с трансформаторными ( а и генераторными ( б чувствительными элементами. [30] |
Страницы: 1 2 3