Метод - избирательное травление
Cтраница 1
Метод избирательного травления основан на локальном удалении с поверхности образца атомов или ионов. В местах выхода дислокаций появляются небольшие ямки. Чаще всего используется химическое, термическое и электролитическое травление, а также избирательное окисление, катодное растворение, ионная бомбардировка. Вещества для травления подбирают эмпирически ввиду сложности физико-химических процессов, происходящих на поверхности кристаллов. Экспериментально установлено, что кристаллы BaTiO3 хорошо обрабатываются в орто-фосфорной кислоте, NaCl - в уксусной, а для различных соединений с кремнием лучшим травителем служат растворы на основе плавиковой кислоты. [1]
 |
Микрофотография доменной структуры кристалла - BaO 25SroT75 Nb2oe. Увеличение Х156. [2] |
Метод избирательного травления позволяет по расположению и числу фигур травления характеризовать дислокационную структуру кристалла. Связанные с дислокациями поля напряжений вызывают локальные изменения показателя преломления и плотности, что может приводить к появлению дополнительного рассеяния света. Существенное влияние на оптические свойства могут оказывать также перераспределения примесных атомов в полях напряжений дислокаций. [3]
Методом избирательного травления в отдельных сортах кварца были обнаружены [430] концентрирующиеся вдоль дислокаций в кристаллах кварца примеси магния, кальция, алюминия, калия, что делает непригодными эти сорта кварца при изготовлении аппаратуры для очистки полупроводниковых веществ. [4]
Методом избирательного травления также показано, что при воздействии токовых импульсов длительностью 2 10 4 с и плотностью 20 МА / м2 увеличивается подвижность пирамидальных дислокаций в области их термоактивированного движения при 77 и 293 К, а также их размножение. [5]
Методом избирательного травления интенсивно изучалось соотношение между началом образования трещины и плоскими скоплениями дислокаций в кристалле окиси магния. Стоке и др. [82, 83] показали, что микротрещины зарождаются в полосах скольжения, в местах их пересечений. [6]
Плотность и распределение дислокаций выявляют методом избирательного травления. Как уже указывалось, в месте выхода дислокационной линии на поверхность образуется ямка. [7]
 |
Конструкции плоских модулей. [8] |
Печатный рисунок на этих материалах получают методом избирательного травления медной фольги. Это наиболее простой и дешевый способ, приемлемый для любого вида производства. [9]
Фирмы Bunker Ramo и Globe Union [3] для создания соединительных проводников используют метод химического и электролитического избирательного травления с применением фотолитографии. В качестве материалов для проводников применяют медь и хром. В работе [4] исследовалась возможность получения внутрисхемных соединений с помощью серебряно - xpOMOiBbix пленок. [10]
 |
Структура сплава Fe - 3 2 % Si при температурах испытания. [11] |
Исследование структуры деформированного при разных температурах сплава Fe - 3 2 % Si ( рис. 3.26) методом избирательного травления декорированных дислокаций на образцах, деформация которых была остановлена в средней части линейной стадии упрочнения, показало [339], что деформация локализована в полосах скольжения. Причем на этой стадии упрочнения в каждом зерне обычно действуют 2 - 3 системы скольжения и лишь в районе стыков зерен иногда подключаются дополнительные системы. [12]
Дислокационная картина, возникающая при вдавливании индентора, в случае кристаллов со структурой хлористого натрия, подвергшихся надавливанию на плоскость куба, представляет собой характерную розетку. Такую картину легко выявить методом избирательного травления. Возможно, что эта величина имеет даже более прямой физический смысл, чем диаметр отпечатка. [13]
Конфигурации данного типа играют важную роль в упрочнении, так как они представляют собой эффективные барьеры, у которых дислокации выстраиваются в плоские ( заторможенные) скопления. Данные, свидетельствующие о существовании барьеров Ломера - Коттрела ( полученные методом избирательного травления), были представлены в гл. Образование сжатых и растянутых дислокационных узлов. [14]
Смежные включения могут при этом сливаться. Методом избирательного травления было обнаружено, что при этом остаются дефекты, расположенные в том месте, где произошло слияние. Интересно отметить, что если потом прогонять границу другого включения с материнским кристаллом, то эти дефекты как бы стираются. [15]
Страницы: 1 2