Cтраница 2
Плотность дислокаций ( число дислокаций, приходящихся на единицу площади поверхности кристалла) для совершенных монокристаллов составляет 102 - 103 см-2, для деформированных кристаллов - 1010 - 1012 см-2. Дислокации никогда не обрываются, они либо выходят на поверхность, либо разветвляются, поэтому в реальном кристалле образуются плоские или пространственные сетки дислокаций. Дислокации и их движение можно наблюдать с помощью электронного микроскопа, а также методом избирательного травления - в местах выхода дислокации на поверхность возникают ямки травления ( интенсивное разрушение кристалла под действием реагента), проявляющие дислокации. [16]
Таким удлинением является, напр. При малой степени деформации ( до 10 %) они часто располагаются вдоль отдельных плоскостей скольжения, к-рые на поверхности кристалла выявляются методом избирательного травления в виде линий и полос скольжения. С увеличением степени деформации часто возникает ячеистая структура, выявляемая электронным микроскопом и по рассеянию рентгеновских лучей. [17]
Для нанесения тонких пленок наиболее часто применяют два мете да: термовакуумное испарение и ионное ( катодное) распыление в тлеющем разряде. Для получения рисунка применяют ряд методов, наибольшее распространение из которых получили методы свободной ( механической) маски, контактной маски и избирательного травления. Первый метод заключается в использовании маски-трафарета, через щели и отверстия которой воспроизводят рисунок микросхемы. Дальнейшее усовершенствование этого метода привело к использованию контактной маски, которая получается вакуумным осаждением тонкой металлической пленки непосредственно на поверхность подложки. Однако при использовании масок возникает бесчисленное множество проблем, связанных с механическими напряжениями в маске и с возможными загрязнениями. Поэтому в последнее время наиболее часто применяют метод избирательного травления, в особенности при создании сложных конфигураций. При этом методе пленки наносят на всю поверхность подложки, а затем производят вытравливание нужной конфигурации методами фотолитографии. [18]