Метод - эпитаксия
Cтраница 1
Метод эпитаксии позволяет создавать высокоомные ( более чистые) пленки кремния и германия, исключает трудную технологическую операцию разрезки монокристаллов на тонкие пластины; дает возможность получать сложные полупроводниковые материалы ( например, карбид кремния), производство которых в виде объемных монокристаллов затруднено вследствие высокой стоимости процесса. Применение тонких пленок толщиной 15 - 20 мкм улучшает параметры прибора. Излишняя толщина пластин ухудшает частотные свойства приборов из-за роста потерь. При резке объемных монокристаллов нельзя получить пластины тоньше, чем 100 - 200 мкм. [1]
Метод эпитаксии с использованием металлоорганики может быть применен также для синтеза твердых растворов на базе соединений галлия и алюминия. В качестве носителей алюминия используют алкилы алюминия или эфираты алкилов. [2]
Перспективен метод молекулярно-пучковой эпитаксии. Процесс осуществляют в условиях глубокого вакуума ( 10 - 10 - 10 - 12 мм рт.ст.) при использовании мол. Применение особо чистых исходных в-в, создание многокамерных установок с охлаждаемыми до низких т-р и вращающимися держателями подложек позволяют резко повысить чистоту выращиваемых слоев и их однородность. Разработан метод получения эпитаксиальных композиций, содержащих неск. Существенно повышается гибкость процесса применением при наращивании слоев и их легировании ионных пучков, а также летучих соед. Детальное исследование механизмов кристаллизации позволило оптимизировать условия травления подложек с получением атомно-гладких и атомно-чистых пов-стей, увеличить скорости роста слоев при сохранении рекордно низких т-р эпитаксиальиого наращивания. Все это позволяет получать этим методом многослойные эпитаксиальные структуры со сверхтонкими слоями и наим. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращивают эпитаксиальные композиции § 1, соед. [3]
Разновидностью метода газовой эпитаксии является сэндвич-метод. В качестве газоносителя обычно используют водород. Основные достоинства этого метода заключаются в высокой стерильности, обусловленной тем, что реакционный объем отделен от остального пространства реактора, и в высокой скорости реакции осаждения ( до нескольких мкм / мин), обеспечивающей получение-толстых ( до нескольких сотен микрон) пленок. Поскольку термодинамический перенос вещества и его эпитаксия осуществляются в условиях, близких к равновесным, это способствует получению пленок с совершенной кристаллической структурой. [4]
Далее затрагивается также метод молекулярно-лу-евой эпитаксии. [5]
Этот слой выращивают методом эпитаксии, что и определило название соответствующей структуры. Наличие дополнительного высоколегированного л - слоя способствует более быстрым процессам рекомбинации неосновных носителей. Кроме этого, в эпитаксиальной структуре используют облучение для уменьшения времени жизни носителей заряда. [6]
При производстве полупроводниковых приборов применяют метод эпитаксии кремния. Эта эпитаксия производится путем восстановления тетрахлорида кремния или методом эпитаксии в. [7]
Монокристаллические пленки Fe, NiFe, Co, MnBi приготовляются методом эпитаксии. [8]
Гетероструктура GaAs - Alx Ga, x As была изготовлена методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии. Двумерный электронный газ в GaAs создавался за счет ионизации доноров в слое А1ж Ga, х As и был сосредоточен вблизи границы между А1х Са, х As и нижележащим слоем GaAs. Граница между верхним слоем GaAs ( выращенным с целью облегчить создание омических контактов) и Alx Ga, х As была обеднена свободными электронами за счет поверхностного потенциала. [9]
Наименее стойкими являются излучатели из арсе-нида галлия, легированного кремнием, полученные методом жидкофаз-ной эпитаксии. Радиационная стойкость арсенидо-галлиевого излучателя существенно возрастает при замещении в кристаллической решетке части атомов галлия алюминием. Уже при введении 1 % А1 стойкость к у-излучению возрастает более чем вдвое. [10]
В настоящее время можно считать, что метод обычного эпитаксиального выращивания является более перспективным, чем метод обратной эпитаксии и чем рассмотренная в предыдущем разделе встречная диффузия. [11]
Наряду с совершенствованием традиционных эпитаксиальных процессов все более прочные позиции в технологии создания кремниевых тонкопленочных эпитаксиальных структур завоевывает метод молекулярно-пучковой эпитаксии. Развитие метода идет не только по пути создания ультратонких многослойных гомо - и гетероэпитаксиальных структур на подложках большой площади, но и синтеза в едином технологическом цикле эпитаксиальных МДП-композиций, в том числе с использованием различных вариантов локальной эпитаксии. Создаваемая для этого аппаратура обеспечивает сочетание в едином технологическом цикле процесса эпитаксиального наращивания с процессами ионной имплантации в синтезируемый слой необходимых примесей, а также его лазерной или электронно-лучевой обработки, или быстрого термического отжига. Все это существенно расширяет возможности молекулярно-пучко-вой эпитаксии. Быстрыми темпами развивается также высоковакуумная химическая эпитаксия. [12]
 |
Изменение энергии прямых и непрямых переходов в твердых растворах. [13] |
Как видно из таблицы, светоизлучающие структуры на основе полупроводниковых соединений A BV и твердых растворов создают в основном методом эпитаксии в газовой ( ГФЭ) или жидкой ( ЖФЭ) фазе в двухстадийном процессе или комбинацией эпитаксии и диффузии. В последнее время находит применение также метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Однако ввиду того что используемая в этом методе аппаратура сложна, а отработка режимов эпитаксии в условиях серийного производства затруднена, молекулярно-лучевая эпитаксия пока не вышла за рамки лабораторных исследований. [14]
Эпитаксиальные пленки ниобата и танталата лития ( LiNbO3 и ТаО3) могут осаждаться различными методами, в том числе методом элекулярной лучевой эпитаксии, химическим осаждением, металлоор-ническим химическим осаждением, ионным плакированием, золь-гель гтодом, в том числе с применением полимерного исходного раствора, аждением с помощью эксимерного и импульсного лазера, а также маг - тронным распылением. [15]
Страницы: 1 2 3