Метод - эпитаксия
Cтраница 2
 |
Схема установки для получения эпи таксиальных слоев кремния силановым методом. [16] |
Силановый метод основан на пиролизе моносилана, он позволяет получать высокоомные однородные слои кремния и в настоящее время приобретает ведущую роль среди методов эпитаксии кремния. [17]
В данной работе методами оптической, инфракрасной и просвечивающей электронной микроскопии изучалось влияние дефектов подложки на структурное совершенство зпитаксиальных слоев GaAs, полученных двумя различными методами: методом газовой хлоридной эпитаксии и методом жидкостной эпитаксии. Изучалось также влияние совершенства структуры полученных эпитаксиальных слоев на их электрофизические параметры. [18]
 |
Принципиальная схема npn - транзистора. Обедненные слои рп-перехо-дов заштрихованы. В пределах О я Хв расположена нейтральная базовая область. [19] |
Как видно на рис. 3.9, структура транзисторов реальных БИС отличается от схематичного изображения транзистора на рис. 3.8. Это обусловлено планарной технологией их изготовления, а также применением методов эпитаксии, диффузии и ионной имплантации. Участок, выделенный пунктиром на рис. 3.9, соответствует активной области транзистора, изображенного на рис. 3.8. Остальные участки структуры являются паразитными элементами транзистора. [20]
Метод газовой эпитаксии был разработан для производства кремниевых приборов и в настоящее время широко применяется при изготовлении кремниевых интегральных микросхем. [21]
 |
Эпитаксиальные структуры. а - типа р - р. б - тийа п-п. в - типа р - п. е - типа п-р. [22] |
Граница между эпитаксиальным слоем и подложкой не получается идеально резкой: примеси в процессе эпитаксии частично диффундируют из одного слоя в другой. Поэтому метод эпитаксии не позволяет создавать тонкие ( менее 1 мкм) и многослойные эпитаксиальные структуры. [23]
Следует отметить, что эпитаксиальные структуры, выращенные сэндвич-методом, достаточно хорошо воспроизводят контуры источника. На основе этого метода разработан метод репродукционной эпитаксии, не содержащий недостатков сэндвич-метода и позволяющий получать монокристаллические структуры с упорядоченной объемной неоднородностью состава и свойств. [24]
 |
Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов. [25] |
Способ эпитаксии из газовой фазы обеспечивает получение пленок более высокого качества, однако эпитаксия из жидкой фазы не требует сложных установок и более технологична. Промышленное изготовление тонких пленок производят методом изотермической эпитаксии из переохлажденного расплава. Шихту, состоящую из смеси феррита-граната и растворителя ( чаще всего РЬО В2Оз), в платиновом тигле помещают в печь и выдерживают в ней при температуре 1100 - 1150 С в течение суток до полной гомогенизации расплава. После охлаждения расплава до температуры, соответствующей началу кристаллизации ( 800 - 1000 С), в него погружают подложку, предварительно подогретую до той же температуры для исключения неконтролируемого самопроизвольного роста пленки. Подложку вращают в расплаве. При этом происходит диффузионный перенос кристаллизуемого вещества через граничный слой. Толщина образующейся пленки примерно пропорциональна времени выращивания. Частота вращения ( 50 - 250 об / мин) определяет скорость выращивания пленки и ее однородность. Далее подложку с наращенной пленкой заданной толщины медленно вынимают из печи. Эпитаксиальный метод позволяет выращивать пленки с большой полезной площадью при хорошей воспроизводимости. Качество пленок зависит в основном от качества подложки. Подложки изготавливают из немагнитных гранатов, чаще всего из монокристаллических пластин гадолиний-галлиевого граната GdsGasOig. Для этого монокристалл разрезают алмазными дисками перпендикулярно оси [111] на тонкие пластины 0 5 - 1 мм, которые тщательно полируют, ибо структура наращиваемой пленки воспроизводит дефекты подложки. Толщину подложки доводят до 0 3 мм. [26]
При производстве полупроводниковых приборов применяют метод эпитаксии кремния. Эта эпитаксия производится путем восстановления тетрахлорида кремния или методом эпитаксии в. [27]
Простейшая периодическая среда состоит из чередующихся слоев прозрачных материалов с различными показателями преломления. Современные достижения в технологии выращивания кристаллов, особенно методом эпитаксии из молекулярных пучков, позволяют выращивать периодические слоистые среды с хорошо контролируемыми периодичностью и толщинами слоев, соответствующими нескольким атомным слоям. [28]
В качестве выпрямляющего электрического перехода, с помощью которого производят управление потоком основных носителей заряда в полевом транзисторе, может быть р-п-переход, гетеропереход или выпрямляющий переход Шотки. Полевые транзисторы с управляющим гетеропереходом делают в основном методом эпитаксии соединений тина A BV на кристаллы арсе-нида галлия. Выпрямляющие переходы Шотки осуществляют нанесением металла на кристаллы кремния, арсенида галлия или на различные гетероструктуры. Однако наиболее распространены пока полевые транзисторы с управляющим р-п-пере-ходом в кристаллах кремния. Поэтому в дальнейшем в качестве примера рассмотрим полевые транзисторы с управляющим p - n - переходом, так как принцип действия полевых транзисторов с различными управляющими переходами идентичен. [29]
В качестве выпрямляющего электрического перехода, с помощью которого производят управление потоком основных носителей заряда в полевом транзисторе, может быть р-п-переход, гетеропереход или выпрямляющий переход Шотки. Полевые транзисторы с управляющим гетеропереходом делают в основном методом эпитаксии соединений типа A BV на кристаллы арсе-нида галлия. Выпрямляющие переходы Шотки осуществляют нанесением металла на кристаллы кремния, арсенида галлия или на различные гетероструктуры. Однако наиболее распространены пока полевые транзисторы с управляющим р-п-пере-ходом в кристаллах кремния. Поэтому в дальнейшем в качестве примера рассмотрим полевые транзисторы с управляющим р - / г-переходом, так как принцип действия полевых транзисторов с различными управляющими переходами идентичен. [30]
Страницы: 1 2 3