Метод - жидкостная эпитаксия
Cтраница 1
Метод жидкостной эпитаксии позволяет изготовить полупроводниковые когерентные и некогерентные излучающие диоды. [1]
Методом жидкостной эпитаксии обычно изготавливают по; лупроводниковые излучатели с наивысшим квантовым выходом, он нашел широкое применение в промышленном производстве. [2]
Методом жидкостной эпитаксии получают гомо - и гетероэпитаксиальные структуры на основе соед. [3]
Основные преимущества метода жидкостной эпитаксии следующие. Отсутствует необходимость использовать стехио-метрические расплавы; рост фазы может происходить при любой комбинации температур и составов вблизи линии ликвидуса. [4]
 |
Технологический процесс изготовления структуры фотодиода с гетерогенным переходом. [5] |
Выращивание проводится методом жидкостной эпитаксии. [6]
 |
Зависимость содержания алюминия в твердом растворе Ga A - As от его концентрации в жидкой фазе. [7] |
Из твердых растворов AnlBv методом жидкостной эпитаксии успешно получают слои растворов типа Ga Ali As. Это обусловлено тем, что система GaAs-AlAs является идеальной гетеропарой, так как периоды решеток этих соединений практически совпадают. Их относительное несоответствие составляет всего 0 07 %, а относительное несоответствие коэффициентов термического расширения находится в среднем на. [8]
Получение р - n - переходов методом жидкостной эпитаксии осуществляется главным образом зонной плавкой с температурным градиентом при использовании хрома и редкоземельных элементов в качестве растворителей карбида кремния. В процессе эпитаксиального наращивания на монокристаллическую подложку легирование эпитаксиального слоя производится примесью, поступающей в расплавленную зону из окружающей атмосферы. [9]
Осуществление равновесной нормальной направленной кристаллизации с помощью методов жидкостной эпитаксии позволяет строить равновесную диаграмму состояния на основании одних только результатов определения средних концентраций компонентов в твердых слоях и жидкой фазе, не прибегая к экстраполяции экспериментальных данных к нулевой скорости кристаллизации. [10]
 |
Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда фазовым методом по фотолюминесценции. [11] |
Описанный метод с успехом был использован для исследования тонких слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкостной эпитаксии на подложках л-типа электропроводности. [12]
 |
Принципиальная схема реакторов для выращивания пленок кремния методом газовой эпитаксии ( а и пленок арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии ( б. [13] |
На рис. 2.9, б показана принципиальная схема установки для получения автоэпитаксиальных пленок GaAs методом жидкостной эпитаксии. Количество GaAs в растворе берется таким, чтобы до температуры 7 этот раствор являлся пересыщенным, выше 7j - ненасыщенным. После нагревания лодочки до 7 ее ставят в горизонтальное положение и выключают печь. Подложка покрывается расплавленным раствором, который при охлаждении ( остывании печи) переходит в пересыщенное состояние. Из такого пересыщенного раствора происходит кристаллизация GaAs на подложке как на затравке и образование монокристаллической пленки. [14]
Отсутствие какого-либо влияния структурных нарушений подложки на структуру эпитаксиального слоя позволяет предположить, что в процессе наращивания методом жидкостной эпитаксии происходит изменение структуры в поверхностных слоях подложки. Для проверки этого предположения процесс наращивания прекращали на первоначальном этапе, когда фактически не происходил эпитаксиальный рост, а раствор Ga, еще не насыщенный As, травил подложку. [15]
Страницы: 1 2