Метод - жидкостная эпитаксия
Cтраница 2
Электронно-дырочные переходы в монокристаллах карбида кремния могут быть получены различными методами: в процессе выращивания кристаллов методом сублимации, методом жидкостной эпитаксии, методом газовой эпитак-сии, вплавлением, ионной имплантацией, методом диффузии из газовой фазы. [16]
В данной работе методами оптической, инфракрасной и просвечивающей электронной микроскопии изучалось влияние дефектов подложки на структурное совершенство зпитаксиальных слоев GaAs, полученных двумя различными методами: методом газовой хлоридной эпитаксии и методом жидкостной эпитаксии. Изучалось также влияние совершенства структуры полученных эпитаксиальных слоев на их электрофизические параметры. [17]
 |
Закономерности изменения ширины запрещенной зоны в системах псевдотройных. [18] |
Твердые растворы, используемые в приборных разработках, получают исключительно эпитаксией из жидкой или газовой фазы на подложках бинарных соединений. Для остальных систем, освоенных в технологическом отношении, лучшие результаты дает метод жидкостной эпитаксии с использованием галлия или индия в качестве растворителя. [19]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны соединений А3В5 и твердых растворов на их основе от параметра решетки этих материалов. [20] |
При этом для узкозонного СЭ в диапазоне a f 5.85 А не существует подложки с подходящим значением параметра решетки, на которой можно изготовить СЭ методом эпитаксиального выращивания. Для выращивания эпитаксиальных слоев GalnAs и GaAsSb необходимого состава приходится использовать подложки из GaAs, применяя метод ступенчатой жидкостной эпитаксии с постепенным увеличением содержания In или Sb по мере роста эпитаксиального слоя. [21]
В настоящее время наиболее воспроизводимыми результатами по характеристикам лазерных диодов обладают гетероструктуры, полученные при температурах эпи-таксии 870 - 900 С, при которых сочетается относительно низкая скорость роста и воспроизводимое введение алюминия в решетку арсенида галлия. В качестве подложки для эпитаксиального выращивания двойных гетероструктур используются пластины монокристаллического арсенида галлия я-типа. Структуры выращиваются методом жидкостной эпитаксии в атмосфере чистого водорода в мно-гопозиционной графитовой кассете с фильтрацией растворов. [22]
Известно, что центры, связанные с собственными дефектами, весьма чувствительны к условиям термообработки. По-видимому, различие в условиях выращивания под расплавом и без него приводит к изменению концентрации компенсирующих дефектов, и, следовательно, к изменению степени концентрации. В рамках предложенной модели не удается объяснить причину возрастания концентраций доноров и акцепторов к подложке. Вероятно, проведение серии специальных термообработок пленок арсенида галлия, выращенных методом жидкостной эпитаксии, поможет сделать однозначные выводы о природе наблюдаемых закономерностей. [23]
Жидкостная эпитаксия, основанная на кристаллизации полупроводникового соединения из пересыщенного раствора, широко используется для получения эпитаксиальных структур АШВУ. Применительно к соединениям AnBVI этот метод-развит сравнительно слабо. В качестве растворителя могут быть металлы II группы периодической таблицы. Так, применение кадмия позволяет получать строго-определенный и воспроизводимый состав CdS, соответствующий границе области гомогенности со стороны металла. Однако указанные металлы при температуре эпитаксии обладают высокой летучестью. С, Методом жидкостной эпитаксии получены пленки ZnSe, ZnS, ZnTe, CdS на подложках из этих же материалов. [24]
Страницы: 1 2