Метод - выращивание
Cтраница 1
Метод выращивания в гидротермальных условиях тесно примыкает к методу выращивания из водных растворов при комнатной или близкой к комнатной температуре. Когда эксперименты по выращиванию кристаллов при комнатной температуре не дают положительных результатов вследствие малой растворимости или из-за необратимой реакции исследуемого соединения с растворителем, естественно попытаться выращивать кристаллы из раствора, используя растворитель большей растворяющей силы или растворитель, не реагирующий необратимо с выращиваемым соединением. Как мы видели выше, одно из решений этой проблемы состоит в использовании при комнатной температуре неводных растворителей. Ранее рассмотрено еще одно возможное решение, заключающееся в подборе ком-плексообразователя ( минерализатора), образующего в растворе дополнительные частицы ( первоначально там не присутствовавшие) и увеличивающего за счет этого общую растворимость. Введение минерализатора может быть очень эффективным при условии, что образующиеся комплексы не являются устойчивой твердой фазой. [1]
Метод выращивания пленок из квазизамкнутого объема во многом аналогичен сэндвич-методу газовой эпитаксии. Процесс испарения-конденсации проводится в специальных ячейках сублимации, где расстояние между источником и подложкой невелико. Сверхвысокий вакуум обеспечивает проведение процесса при температурах испарителя на несколько сотен градусов ниже, чем обычно, что значительно уменьшает загрязнение пленки. Указанный метод широко используется для получения пленок халькогенидов кадмия и цинка. [2]
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов по методу Чохральского. [3] |
Метод выращивания монокристаллов из расплава ( метод Чохральского), как правило, обеспечивает высокие скорости выращивания и получение больших по размеру кристаллов. [4]
Метод выращивания растений в условиях светокультуры, применяемый в лаборатории Б. С. Мошкова, предусматривает использование не почвы, а искусственной среды - керамзита. [5]
Метод выращивания гетеропереходов из жидкой фазы основан на том, что, как правило, материалы, используемые для создания гетероперехода, возможно производить или непосредственно из расплава легкоплавкого компонента, или расплавляя только пограничный участок. По электрическим характеристикам переходы, приготовленные обоими методами, значительно не отличаются. [6]
 |
Схема установки для. [7] |
Метод выращивания монокристаллов из распла-в а ( метод Чохральского), как правило, обеспечивает высокие скорости выращивания и получение больших по размеру кристаллов. Схема установки представлена на рис. 14.4. Сущность метода заключается в том, что в тигель с расплавленным материалом опускают монокристаллическую затравку. После оплавления затравки, которое обеспечивает хорошее ее смачивание расплавом, затравку медленно поднимают. [8]
Метод выращивания эпитаксиальных пленок с использованием жидкой фазы основан на том, что монокристаллическая полупроводниковая подложка покрывается тонким жидким слоем, чаще всего представляющим собой расплав какого-либо металла, растворяющего в себе полупроводник. При пропускании над такой подложкой газа, содержащего летучие соединения выращиваемого полупроводника, или при напылении на нее этого полупроводника в вакууме под слоем расплава может выращиваться эпитаксиальная пленка. В отличие от обыкновенной рекристаллизации после сплавления этот метод позволяет выращивать пленки с толщиной, во много раз превосходящей толщину рекристаллизован-ного слоя, который можно было бы получить при охлаждении данного расплава. [9]
 |
Зонная очистка. [10] |
Метод выращивания монокристаллов кварца основан на использовании щелочного раствора при повышенных температуре и давлении. В случае типового ведения процесса автоклав работает с разницей температур между верхней и нижней частями аппарата 50 С при давлении 1000 ат. [11]
Метод выращивания эпитаксиаль-ных пленок ферритов из жидкой фазы очень близок к методу выращивания объемных монокристаллов из раствора-расплава. Для этой цели используются близкие по составу или одни и те же растворители, области концентраций раствора и температуры. [12]
Известен метод выращивания на готовой культуральной жидкости, содержащей лизин, специальных видов дрожжей, усваивающих углеводы и органические кислоты. [13]
 |
Теоретические кривые распределения примеси, внесенной в начальную часть слитка после одного прохода зоны для различных. [14] |
Применяя метод выращивания с переменной скоростью вытягивания, нужно учитывать такие факторы, как изменение формы фронта кристаллизации и необходимость программированного изменения температуры расплава; поэтому применение данного метода в общем случае весьма ограничено. [15]
Страницы: 1 2 3 4