Метод - выращивание
Cтраница 2
Описан метод выращивания из паровой фазы халькогенидов с одновременной многократной дистилляцией и перекристаллизацией. Качество и совершенство полученных кристаллов контролируются. [16]
Известен метод выращивания на готовой куяьтуральной жидкости, содержащей лизин, специальных видов дрожжей, усваивающих углеводы и органические кислоты. ККЛ получается при такой технологии менее гигроскопичным и более сыпучим. Жидкий и сухой концентрат лизина приблизительно одинаков по своему составу, если он приготовлен без наполнителя. Если же дан наполнитель, то к сумме сухих веществ культуральной жидкости прибавляются еще сухие вещества наполнителя. [17]
 |
Контейнеры, которые используются. [18] |
Хотя метод выращивания монокристаллов может дать сверхчистые образцы, успех при получении монокристаллов еще в значительной степени зависит от удачи, несмотря на использование разнообразных описанных способов. [19]
Удобен метод выращивания комнатных растений на искусственных заменителях почвы с использованием питательных растворов-гидропоника. Гравий, керамзит или другой заменитель почвы с размером частиц от 3 до 15 мм хорошо промывают и дезинфицируют 0 3 % - ным раствором серной кислоты, снова промывают и засыпают в горшок, куда затем сажают растение. Горшок должен иметь отверстие, еще лучше-несколько отверстий на дне и нижней части стенок. Затем горшок с растением помещают в другой сосуд, наполовину заполненный питательным раствором, уровень которого поддерживают на одной отметке, доливая воду. Питательный раствор меняют один раз в месяц летом и один раз в полтора месяца зимой. Для приготовления питательного раствора используют Полное минеральное удобрение с микроэлементами марки Б, которое растворяют в воде из расчета 16 г ( неполная столовая ложка) на 10 л воды. [20]
Количество методов выращивания монокристаллов ограничено числом возможных фазовых переходов: пар-нфисталл, расплав - - кристалл, раствор - кристалл и кристалл I - кристалл II. Технологических же вариантов этих методов довольно много ввиду необходимости учета физико-химических свойств выращиваемых материалов. [21]
Выбор метода выращивания монокристаллов каждого данного вещества основывается в первую очередь на изучении его физических и химических свойств. Так, если вещество характеризуется очень высокой температурой плавления, большой упругостью пара и большой химической активностью, то практически процесс выращивания монокристаллов из расплава может оказаться настолько трудно осуществимым, что целесообразнее применить более медленные и менее производительные процессы выращивания из паровой фазы или из раствора. [22]
Выбор метода выращивания монокристаллов ( особенно для тугоплавких соединений) зачастую ограничивается [305] температурой плавления материала, его реакционной способностью, отсутствием соответствующих материалов кристаллизаторов или подложек, а также инконгруэнтным плавлением некоторых соединении. Это, в частности, относится и к получению монокристаллов карбидов вольфрама, в связи с чем данный вопрос мало освещен в литературе. [23]
Большинство методов выращивания монокристаллов основаны на разделении зарождения и роста. [24]
Из методов выращивания микроорганизмов самым перспективным, безусловно, является метод проточных культур. Если чистую культуру микробов поместить в сосуд с питательной средой, то, размножаясь, микробы постепенно изменяют состав среды, делая ее все менее и менее пригодной для жизни. [25]
Выбор методов выращивания монокристаллов CuS весьма ограничен вследствие перитектического разложения CuS при температуре 507 С. В работе [63] был опробован гидротермальный метод получения монокристаллов CuS и CuSe и показано, что лучшие результаты получаются при использовании в качестве растворителя НВг. [26]
Наиболее широко метод выращивания из растворов в расплавленных металлах в настоящее время применяется, вероятно, для получения кристаллов полупроводниковых соединений III-V групп, особенно GaP, для которого растворителем часто служит Ga. Рост происходит при достаточно низких температурах, где мала летучесть As и Р, которая сильно затрудняет выращивание кристаллов из расплава. Растворитель особенно удобен тем, что он не вводит в систему примесей и плавится при низкой температуре. [27]
Применяя этот метод выращивания монокристаллов, необходимо учитывать возможность изменения стехиометрического состава смеси из-за повышенной летучести одного из компонентов, особенно, если расплав выдерживается некоторое время для удаления воздуха и газов. [28]
Лысенко предложил гнездовой метод выращивания леса и даже дал конкретную инструкцию по его проведению. [29]
Существует несколько методов выращивания усов в твердой фазе. Например, установлено, что на поверхности листов многих металлов, таких как железо, медь, серебро, платина, магний, вольфрам, латунь и др., при нагреве образуются волокнистые кристаллы диаметром и длиной 1 - 2 мкм. Наиболее интересен метод ускоренного выращивания усов под давлением, так называемый метод Фишера. Стальную пластинку толщиной 0 3 мм покрывают электролитическим слоем олова толщиной 5 мкм и зажимают между двумя жесткими стальными пластинками. Края полученного образца шлифуют и полируют. Под действием давления, приложенного к стальным пластинкам, на полированных краях слоя олова происходит ускоренный рост усов, достигающих длины 5 мм при 215 С. После удаления усов с поверхности их рост начинается снова на прежних местах, что указывает на наличие фиксированных источников роста усов. Диаметр получаемых усов равен 0 05 - 5 мкм. [30]
Страницы: 1 2 3 4