Метод - выращивание - кристалл
Cтраница 1
 |
Схема зонной плавки.| Схема выращивания монокристалла ( метод Чохральского. [1] |
Метод выращивания кристалла ( рис. 4 - 45) состоит в том, что в тигель с расплавленным полупроводником опускают ( до соприкосновения с расплавом) монокристалическую затравку из того же материала, а затем медленно поднимают ее вместе с постепенно нарастающим на ней новым монокристаллом. Для перемешивания расплава стержень с затравкой медленно вращают или заставляют слегка вибрировать. Метод выращивания обычно применяют после предварительной зонной плавки. [2]
Метод выращивания кристаллов из паровой фазы дает удовлетворительные результаты по значению плотности дислокаций ( от 1 102 до 1 105 CM-Z) и относительно равномерное распределение последних по поперечному сечению кристалла. [3]
Метод выращивания кристаллов из раствора, при котором в качестве растворителя используются расплавленные металлы, как и другие процессы выращивания из растворов, имеет свои преимущества и свои недостатки. Монокристаллы многих металлов и полупроводников выращены таким методом. [4]
Метод выращивания кристаллов из паровой фазы дает удовлетворительные результаты по значению плотности дислокаций ( от 1 102 до 1 105 см-2) и относительно равномерное распределение последних по поперечному сечению кристалла. [5]
 |
Характеристики излучатель - 4пЧг -. - ной способности СИД. [6] |
Метод выращивания кристаллов под флюсом находится в стадии быстрого развития. Усовершенствования метода вытягивания кристалла касаются увеличения емкости вытягивающих устройств для GaAs и GaP, а также улучшения чистоты процесса вытягивания кристаллов. Метод вытягивания из расплава под флюсом наиболее пригоден для производства подложек для полупроводниковых излучателей. [7]
 |
Схема зонной плавки.| Схема вытягивания монокристалла ( метод Чохраль-ского. [8] |
Метод выращивания кристалла ( рис. 4 - 45) состоит в том, что в тигель с расплавленным полупроводником опускают кристаллическую затравку из того же материала, а затем медленно поднимают ее вместе с постепенно нарастающим на ней новым кристаллом. Для перемешивания расплава стержень с затравкой медленно вращают или заставляют слегка вибрировать. Метод выращивания часто применяют вслед за предварительной зонной плавкой. [9]
Метод выращивания кристаллов упариванием является наиболее общим методом выращивания из растворов, так как его можно применять к веществам, имеющим и положительный, и нулевой, и отрицательный температурные коэффициенты растворимости. Если твердое вещество, которое должно быть выкристаллизовано, стабильно в очень узком интервале температур, выращивание упариванием раствора может быть единственным возможным методом, так как оно может быть проведено изотермически. [10]
 |
Конструкция графитового контейнера для получения эпитаксиальных слоев РЬи - Зп / Ге.| Конструкция ампулы для выращивания кристаллов Pbi jSn. tTe из газовой фазы. [11] |
Метод выращивания кристаллов Pbi x SrijTe из газовой фазы в статических условиях позволяет управлять непосредственно в процессе роста кристалла концентрацией электрически активных собственных дефектов в них в пределах всей области гомогенности. Для этого используют дополнительный источник теллура или металлов. [12]
Метод выращивания кристаллов карбида кремния из раствора заключается в следующем: исходные материалы - растворитель и карбид кремния - загружают в тигель и нагревают до температуры несколько выше кривой ликвидуса на фазовой диаграмме, после чего тигель медленно охлаждают. Известно, что растворитель для выращивания кристаллов из раствора должен растворять достаточное количество компонентов, иметь резкую зависимость растворимости от температуры и процесс растворения должен быть обратимым. Кроме того, коэффициент распределения для растворителя должен быть минимальным. [13]
Большинство методов выращивания кристаллов известно уже давно, но непрерывное увеличение потребности современной науки и техники в монокристаллах стимулирует дальнейшее развитие этих методов. Сам процесс роста вновь стал объектом исследования, но пока еще здесь остается много неясного. [14]
Применение методов выращивания кристаллов из раствора в расплаве является весьма перспективным для тугоплавких соединений, для соединений, имеющих высокую упругость пара в точке плавления или плавящихся инконгруэнтно, так как эти методы позволяют выращивать кристаллы при температурах, меньших, чем их температуры плавления. [15]
Страницы: 1 2 3