Метод - выращивание - кристалл
Cтраница 2
Различие методов выращивания кристаллов состоит главным образом в способе отвода скрытой теплоты кристаллизации. [16]
Недостатком методов выращивания кристаллов из раствора является возможность загрязнения кристаллов частицами растворителя. [17]
Различают четыре метода выращивания кристаллов из жидкой фазы: получение твердой фазы из собственного расплава, из растворов в расплаве, из растворов в расплавленной соли или жидком растворителе. Хотя эти методы по существу одинаковы, они обсуждаются раздельно, поскольку имеются различия в способах их практического осуществления. Рассмотрим сначала выращивание кристаллов из расплава. [19]
Существует много методов выращивания кристаллов из жидких растворов, отличающихся друг от друга по способу создания пересыщения в растворе. Наиболее часто для выращивания тугоплавких веществ используют гидротермальный синтез и выращивание из растворов в расплавах солей. [20]
Известно несколько работ по применению методов выращивания кристаллов из расплава, разработанных для элементарных и бинарных полупроводников, к тройным соединениям. [21]
Важной проблемой в области синтеза алмаза является разработка метода выращивания кристаллов, пригодных для ювелирной промышленности. [22]
Аморфные полупроводники экономически выгоднее так как их изготовление не требует тщательно контролируемых методов выращивания кристаллов. Приборы на аморфных полупроводниках получают широкое применение. [23]
Одним из путей повышения экономичности процессов кристаллизации, вероятно, явится усовершенствование методов выращивания кристаллов. [24]
Полученные для скорости охлаждения выражения ( 5) - ( 7) показывают, что практикуемая во множестве методов выращивания кристаллов из растворов-расплавов постоянная скорость охлаждения жидкой фазы в общем случае не может обеспечить постоянство скорости кристаллизации. В случаях двумерного и трехмерного роста кристаллов при выборе постоянной скорости охлаждения происходит ( конечно, при условии постоянства темповой функции) резкое затухание скорости кристаллизации во времени. Характерно, что во всех без исключения случаях расчет скорости охлаждения невозможен без учета темповой функции. Следует отметить, что полученный нами для трехмерного роста параболический закон изменения скорости охлаждения во времени не соответствует результатам работы 113 ], в которой авторы пришли к кубическому закону. По-видимому, соотношение ( 7) наглядно подтверждает наличие пропорциональности между площадью поверхности растущего кристалла и скоростью подвода растворенного вещества. [25]
В последнее время находит все возрастающее применение для выращивания монокристаллов различных соединений метод газотранспортных реакций. Представляя собой одну из разновидностей методов выращивания кристаллов из газовой фазы, газотранспортные реакции обладают тем преимуществом, что могут протекать при сравнительно низких температурах. Это обстоятельство весьма ценно при получении монокристаллов тугоплавких полупроводников. Кроме того, газотранспортные реакции являются перспективными для выращивания кристаллов веществ, плавящихся инконгруэнтно, так как рост кристаллов может происходить в этом случае при температурах, значительно более низких, чем температура плавления соединения. [26]
 |
Через возвратные сточные воды возможно распространение инфекционных заболеваний, если не предусмотреть соответствующей очистки воды. [27] |
Процесс изготовления искусственного изумруда был запатентован и сохранялся в секрете, но, по-видимому, представлял собой один из методов выращивания кристаллов из расплава смеси алюмосиликатов и бериллия с добавками хрома как цвето-образующего компонента. [28]
При этом рост кристаллов обнаружен при температурах 1900, 1800 и даже 1600 С. В процессе роста кристаллов из газовой фазы идет образование дендритных ветвлений и нитевидных кристаллов, так называемых усов. Метод выращивания кристаллов из газовой фазы может стать весьма перспективным, если будут найдены пути повышения скорости и способа управления процессом конденсации. [29]
Этот метод выращивания кристаллов из расплава был разработан в 1973 г. В. В. Осико, В. И. Александровым и их сотрудниками [13] в Физическом институте им. [30]
Страницы: 1 2 3