Метод - декорирование
Cтраница 3
Чтобы определить число кластеров с размерами, значительно меньшими разрешающей способности электронного микроскопа, авторы работ [12-16] воспользовались методом декорирования частиц в парах Zn. Известно, что пары ряда металлов ( Zn, Cd, Hg и др.) при обычных условиях плохо конденсируются на чистых поверхностях, но могут осаждаться на зародышевых агрегациях Ag, Аи, Pd. [31]
Очень подробная информация относительно топографии поверхности каменной соли и некоторых других веществ получена Бассеттом Ы 1 ] с помощью метода декорирования зародышами золота ( см. гл. [32]
 |
Схема метода декорирования ПРИГОДеН Н6 ТОЛЬКО ДЛЯ. [33] |
С помощью него оказалось возможным выяснить структурные и энергетические детали кристаллической поверхности, которые не обнаруживаются другими методами. Метод декорирования был развит до высокого совершенства Бетге на щелочных галогенидах. [34]
 |
Картина муара, полученная при электронномикроскопическом просвечивании перекрывающихся слоев ( П1 палладия и золота и демонстрирующая наличие дислокаций в одном из слоев. XI 800000. [35] |
Метод декорирования дислокаций в прозрачных кристаллах заключается в том, что в кристалл при его выращивании или диффузионным путем вводят примесь, атомы которой притягиваются к дислокациям. При соответствующей термической обработке область вокруг линии дислокации оказывается пересыщенной примесью, которая выделяется в виде мельчайших частиц вдоль линии дислокации. Эти непрозрачные частицы, рассеивающие свет, делают видимой линию дислокации, хотя диаметр ее ядра находится за пределами разрешающей способности обычного микроскопа. [36]
Недостатком метода декорирования является то, что дислокация, на которой выделялись частицы, уже не может двигаться. Поэтому метод декорирования непригоден для наблюдения за изменением дислокационной структуры, но в сочетании с травлением он дает возможность сопоставить распределение дислокаций на поверхности с их распределением в глубине кристалла. [37]
Это объясняется тем, что такие ионы имеют более прочную связь с решеткой кристалла, чем ионы матрицы, и поэтому процесс испарения на них задерживается. Следовательно, метод декорирования может быть применен для изучения распределения примесей на поверхности кристалла. Всякого рода неоднородности ( пустоты, частицы примесей коллоидных размеров), выходящие на поверхность, вызывают искажение структуры скола, что также отражается на картинах декорирования. [38]
 |
Структура поверхности NaCl при получении скола в вакууме. [39] |
Некоторые нерегулярности на снимках, по мнению Селла, Конжо и Трклла [39], могут быть интерпретированы за счет дислокаций ( см. рис. 118), петель дислокаций, и источников Франка-Рида. Авторы [39] подчеркивают, что метод декорирования можно использовать для изучения процессов взаимодействия дислокаций. [40]
 |
Углеродная реплика со скола гранулы цеолита цоолон, фирма Нортон, США. [41] |
А, вряд ли целесообразно пытаться непосредственно увидеть эти поры. Вероятно, более эффективен здесь будет метод декорирования - проявление пор посредством осаждения на них частиц тяжелых металлов. Этот метод позволяет обнаруживать на обычных кристаллах дефекты атомного масштаба, и следует ожидать, что применение его к исследованию цеолитов будет оправдано. [42]
Несмотря на то, что к настоящему времени при помощи метода декорирования проведено уже довольно большое число работ, механизм этого явления остается неясным. Вместе с тем выяснение механизма декорирования позволит определить границы применимости метода и даст возможность более четко интерпретировать полученные результаты. Еще Бассетт [7] отмечал, что, по-видимому, здесь существенную роль играет поверхностная миграция атомов декорирующего металла. Атомы металла, попадая на поверхность кристалла, мигрируют по ней и, сталкиваясь, образуют агрегаты, которые становятся энергетически устойчивыми после того, как превысят размер критического зародыша. Дальнейший их рост происходит за счет присоединения отдельных атомов, мигрирующих по поверхности. Поскольку образование зародыша на неоднородностях поверхности облегчено, то в этих местах они будут образовываться в первую очередь, что и приводит к эффекту декорирования. Частицы на ступеньках, расположенных в середине террасы, должны быть меньшего размера, чем на гладкой поверхности, и располагаться более часто, а частицы на ступеньках, граничащих с гладкой поверхностью, должны иметь промежуточный размер. [43]
Такая методика были использована, например, Гилманом и Джонстоном [9] для определения положения дислокационных петель. Непосредственное доказательство этого в случае кремния было получено Дэшем [36] с помощью метода декорирования. Было показано, что геликоидальные дислокации дают спиральные ямки травления. Но появление спиральных ямок травления не обязательно свидетельствует о наличии геликоидальных дислокаций. [44]
Автоион-нын микроскопический анализ - единственный метод анализа, позволяющий получать непосредственное изображение атомной плоскости кристалла с увеличением порядка 10е, но объектом исследования должно быть очень тонкое острие металла. Дислокационную структуру в кристаллах изучают наблюдением индивидуальных дислокаций ( см. Фигур травления анализ, Электронномик-роскопический анализ, Рентгенотопо-графический анализ); сюда же относится метод декорирования дислокаций. Применяют также косвенные методы, основанные на влиянии дефектов решетки на различные физ. [45]
Страницы: 1 2 3 4