Метод - декорирование
Cтраница 4
Часто методом пульверизации наносят цветные эмали разнообразных тонов и оттенков, начиная от сильно насыщенных до очень слабых. Этот метод декорирования, называемый иначе методом опылов-ки, выполняется на турникете и широко применяется на заводах. [46]
Влияние твердой поверхности на приводимые с ней в контакт жидкие материалы весьма разнообразно. Ориентирующее и заро-дышеобразующее действие поверхности характерно не для всей площади, а для активных центров. С помощью методов декорирования [75] было показано, что различные активные центры дают разные образования. [47]
Поскольку примеси часто диффундируют к дислокациям, перед травлением полезно проводить отжиг, ускоряющий такую диффузию. Фактически некоторые травители оказывают свое действие только на кристаллы, содержащие определенные примеси. В случае прямого наблюдения дислокаций методом декорирования примесь вводят в кристалл в процессе роста или посредством диффузии после выращивания. Трудность, связанная с отжигом для ускорения диффузии и растворения, заключается в том, что отжиг может повлиять на совершенство кристалла. Перечень ряда методик декорирования применительно к различным материалам приведен в табл. 1.2. В целях исследования декорированных кристаллов веществ, непрозрачных в видимом свете, можно прибегнуть к помощи инфракрасной или электронной микроскопии. [48]
Как мы видели, существует несколько масштабных уровней субзерен. Измерение размера мелких субзерен с помощью про - свечивающего электронного микроскопа приводит к более высоким оценкам напряжения, чем измерение размера более крупных субзерен с помощью оптических методов. В настоящее время наметилась тенденция рассматривать крупные, более разориентированные субзерна, различимые методом декорирования или оптическими методами, как единственные, которые отражают главное деформационное событие. Исходя из лабораторных экспериментов на NaCl [301] и оливине [317], в целом также принято считать, что размер субзерен изменяется быстро при увеличении напряжения, но остается прежним при его уменьшении. Следовательно, размер субзерен должен быть показателем максимального напряжения, испытанного минералом. Как мы видели, это, по-видимому, справедливо до тех пор, пока более позднее событие при более низком напряжении не создаст достаточно большой деформации, которая, возможно, позволит структуре развиваться дальше. Однако в большинстве случаев это кажется маловероятным. [49]
В будущем, вероятно, появится возможность создавать приборы, основанные на электрических свойствах дислокаций в НК полупроводников. Известно, что дислокация обладает способностью собирать ( адсорбировать) примеси в своем поле упругих напряжений. Это приводит к перераспределению примесей вблизи дислокаций в объеме НК ( на этом, в частности, основан метод декорирования дислокаций) и появлению р - - переходов. [50]
Однако экспериментально было показано [53 - 55], что решающее значение в этом процессе имеют не геометрические свойства, а дефектность структуры реальных кристаллов, определяющая электрические свойства различных участков их поверхностей. Согласно данным Дистлера [55], геометрический рельеф поверхности воздействует на образование и рост зародышей через электрический рельеф, состоящий из активных точечных дефектов. Применение методов декорирования в электронной микроскопии для изучения роста кристаллов позволило установить, что зародыши возникают на электрически активных точечных дефектах, которые образуют узлы сетчатого строения электрической структуры реальных кристаллов. [51]
Осуществление метода на практике происходит следующим образом. После декорирования напыляется сплошная угольная пленка. Эту пленку отделяют вместе с прилипшими декорирующими кристалликами и изучают в электронном микроскопе. В качестве напыляющего материала для ионных кристаллов особенно пригодными оказались золото ( метод декорирования золотом), платина и палладий. Так же могут быть использованы и другие металлы или ионные соединения. [52]
Одним из приемов выявления гетерогенности поверхности при электронно-микроскопическом исследовании является декорирование. Сущность этого приема заключается в том, что на поверхность наносится вещество, способное концентрироваться на некоторых деталях поверхности, например дефектах, делая их видимыми. При этом наблюдаются не сами дефекты, а частицы декорирующего вещества. На рис. III.4 ( см. вклейку) в качестве примера, иллюстрирующего возможности метода декорирования, приведен снимок поверхности скола минерала галита. [53]
Значение г обычно берется кратным нескольким величинам вектора Бургерса. Именно эта энергия дислокации ( которая может составлять несколько электронвольт на атомную плоскость, пересекаемую дислокацией) и ответственна за образование ярко выраженных фигур травления при течении химических реакций в точках выхода линий дислокаций. На микрофотографии, показанной на рис. 3, видно как легко с помощью метода травления можно реально оценить число линий дислокаций, пересекающих данную поверхность кристалла. Более надежные результаты измерения количества дислокаций получаются при использовании методов просвечивающей электронной микроскопии, рентгеноскопии, дифракции рентгеновских лучей и методов декорирования. [55]
 |
Простейшие виды линейных дефектов. [56] |
В области ядра дислокации кристаллическая решетка заметно деформирована. В окрестностях краевых дислокаций имеются как сжатые, так и растянутые области решетки. В растянутые места стремятся переместиться внедренные в меж-узлиях атомы. Атомы примесей могут при этом образовать целые облака или атмосферы Котрелла, которые в случае перемещения дислокации ( например, при пластической дефор -, мации) следуют за ней как хвост. На этом, в частности, основан один из прямых методов наблюдения дислокаций - метод декорирования, заключающийся в том, что примеси, диффундируя в кристалл, селективно конденсируются на дислокационных линиях. Другой метод - травления - позволяет выявить выход дислокации на поверхность кристалла. Для этого необходимо использовать какой-нибудь травитель, который бы селективно воздействовал на ядро дислокации, создавая ямки в местах ее выхода. Оба метода существенно дополняют друг друга. [57]
Страницы: 1 2 3 4