Дырочная

Cтраница 2

Обе рассмотренные электропроводности-электронная и дырочная - чистых полупроводников невелики и потому практически не могут быть использованы в устройстве полупроводниковых приборов. Огромную роль в увеличении электропроводности полупроводников играют примеси к ним. Имеется два вида примесей: акцепторные и донорные. Акцепторная примесь создает в полупроводнике преобладание дырочной, а донорная - преобладание электронной электропроводности. [16]

Образование запирающего слоя в кристаллическом диоде. [17]

Проводимость с недостатком электронов ( дырочная или типа р) создается в результате перемещения электронов соседних связей, стремящихся под действием внешнего электрического поля заполнить дырку. Чем сильнее воздействие внешнего фактора ( света, температуры), тем большее число электронов нарушают парноэлек-тронную связь и тем большей электрической проводимостью будет обладать полупроводник. Если внешний фактор действует непрерывно, то в полупроводнике образуется проводимость типа п или р, и под действием внешнего электрического поля возникает электрический ток. [18]

Электронная ( а) и дырочная ( б) поверхности Ферми. [19]

Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [20]

Для толстой базы электронная и дырочная составляющие полного тока становятся одинаковыми на расстоянии, примерно равном диффузионной длине от перехода. [21]

Следует подчеркнуть, что и дырочная и электронная проводимости в конечном счете определяются движением электронов в полупроводнике. [22]

Следует подчеркнуть, что как дырочная, так и электронная проводимости определяются движением электронов в полупроводнике, но при дырочной проводимости электроны перемещаются по местам, где образуются дырки и создаются вакантные энергетические уровни в заполненной зоне, а при электронной проводимости движутся свободные электроны, находящиеся на энергетических уровнях свободной зоны. [23]

Таким образом, квазирешеточная и дырочная модели дают удовлетворительное объяснение энтропии плавления простых ионных жидкостей только в том случае, если принимается во внимание возможность рекомбинации одиночных вакансий и образования укрупненных дырок. [24]

Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [25]

В связи с постоянством результирующего тока дырочная и электронная составляющие меняются в разные стороны: убывание дырочного тока от поверхности в глубь кристалла сопровождается соответствующим ростом электронной составляющей. На самой инжектирующей поверхности электронный ток равен нулю, так как в элементарном приповерхностном слое убыль электронов за счет рекомбинации ничтожна и нет необходимости в их пополнении потоком электронов из глубинных слоев. Следовательно, в непосредственной близости от инжектирующей поверхности ток обусловлен только дырками. [26]

Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [27]

В случае толстой базы электронная и дырочная составляющие полного тока становятся одинаковыми на расстоянии порядка диффузионной длины от перехода. [28]

Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [29]

В связи с постоянством результирующего тока дырочная и электронная составляющие меняются в разные стороны: убывание дырочного тока от поверхности в глубь кристалла сопровождается соответствующим ростом электронной составляющей. На самой инжектирующей поверхности электронный ток равен нулю, так как близко к нулю электрическое поле. Следовательно, в непосредственной близости от инжектирующей поверхности ток обусловлен только дырками. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5