Дырочная
Cтраница 4
Для туннельных диодов используют электронно-дырочные переходы, у которых электронная и дырочная части имеют концентрации примесей 1019 - 10го см-3. В этом случае даже при достаточно большом обратном смещении ширина электронно-дырочного перехода оказывается незначительной и осуществляется туннельный переход электронов и дырок сквозь потенциальный барьер. Очевидно, вольт-амперная характеристика такого перехода должна отличаться от характеристики обычного диода. [46]
В зависимости от рода примеси в полупроводнике преобладает одна из проводимостей - электронная или дырочная. Допустим, что в кристалл германия или кремния внедрен примесный атом с избыточным по сравнению с основным веществом валентным электроном, например атом пятивалентного мышьяка или сурьмы. Примесный атом займет в узле кристаллической решетки место атома основного вещества, и его четыре валентных электрона будут связаны с валентными электронами вещества. [47]
При температурах непосредственно выше точки плавления цепочечная структура оказывается преобладающей, так что проводимость дырочная преобладает над проводимостью электронной. С увеличением температуры концентрация ионов и электронов увеличивается из-за все возрастающей степени диссоциации цепей, а число ковалентных связей уменьшается, поэтому при какой-то температуре знак проводимости расплавленного теллура меняется на обратный. [48]
 |
Структура биполярных транзисторов типов р-п - р ( а и п-р - п ( б. [49] |
Возможны две трехслойные структуры с различным чередованием участков с электронной и дырочной электропроводностью: дырочная - электронная - дырочная и электронная - дырочная - электронная. [50]
В зависимости от рода примеси в полупроводнике преобладает одна из проводимостей - электронная или дырочная. Допустим, что в кристалл германия пли кремния внедрен примесный атом с избыточным по сравнению с основным веществом валентным электроном, например атом пятивалешного мышьяка или сурьмы. Примесный атом займет в узле кристаллической решетки место атома основного вещества, и его четыре валентных электрона будут связаны с валентными электронами вещества. [51]
 |
Распределение потенциала в р-я-переходе. а - без внешнего источника. б, в - с внешним источником. [52] |
В зависимости от рода примеси в полупроводнике преобладает одна из прово-димостей - электронная или дырочная. Допустим, что в кристалл германия или кремния внедрен примесный атом с избыточным по сравнению с основным веществом валентным электроном, например атом пятивалентного мышьяка или сурьмы. Примесный атом займет в узле кристаллической решетки место атома основного вещества, и его четыре валентных электрона будут связаны с валентными электронами вещества. Пятый валентный электрон примесного атома окажется свободным; он будет относительно свободно перемещаться в кристалле и будет участвовать в явлении проводимости. [53]
 |
П-66. Схема возникновения униполярной проводимости. [54] |
Например, для германия более характерна электронная ( я-тип), а для селена - дырочная ( р-тип) проводимость. [55]
Высказало предположение, что низкотемпературная проводимость является электронной и обусловлена дефектами решетки, а высокотемпературная проводимость - дырочная. Синтетическим алмазам могут быть приданы полупроводниковые свойства ( проводимость р-типа) добавлением примесей В, Be или А1 ( до 1 %) в - исходную смесь графита с катализатором ио. [56]
При наличии в полупроводниковых материалах примесей соотношение числа электронов и дырок может изменяться, т.е. может усиливаться или дырочная, или электронная проводимость. При образовании связей с окружающими атомами кремния ( 3s23 / 2) атомы мышьяка используют четыре своих электрона. Пятый же электрон сравнительно легко возбуждается и переходит в зону проводимости. Таким образом, примесь мышьяка усиливает у кремния электронную проводимость. Наоборот, введение в кристалл кремния атомов бора ( 2s22pl) приводит к валентной ненасыщенности атомов Si, т.е. усиливает у полупроводника дырочную проводимость. [57]
Так как энергия активации примесных полупроводников значительно ниже энергии активации собственных полупроводников, примесная электропроводность ( электронная и дырочная) значительно выше собственной электропроводности, причем она мало зависит от температуры. [58]
Так как энергия активации примесных полупроводников значительно ниже энергии активации собственных полупроводников, примесная электропроводность ( электронная или дырочная) значительно выше собственной электропроводности. Причем она мало зависит от температуры. [59]
Возможны две трехслойные структуры с различным чередованием участков с электронной и дырочной электропроводностью: дырочная - электронная - дырочная и электронная - дырочная - электронная. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5