Электронно-лучевой метод

Cтраница 1

Электронно-лучевой метод перспективен при обработке отверстий диаметром 1 мм-10 мкм, прорезании пазов, резке заготовок, изготовлении тонких пленок и сеток из фольги. Обрабатывают заготовки из труднообрабатываемых металлов и сплавов, а также из неметаллических материалов: рубина, керамики, кварца, полупроводниковых материалов. [2]

Блок-схема установки экспонирования фоторезиста электронным лучом. [3]

Электронно-лучевой метод экспонирования должен обеспечить - - значительное повышение процента выхода годных ИС большой сложности при снижении их стоимости. [4]

Схема электрохимического устройства.| Структурная схема электронно-лучевого устройства. / - ротор. 2 - вакуумная камера. 3 - электронно-оптические системы. 4 - блоки питания. 5 - блоки управления. в - блоки измерения дисбаланса. 7 - схема разделения. S - датчики. [5]

Электронно-лучевой метод автоматической балансировки малогабаритных роторов поясняется схемой, приведенной на рис. 31, Ротор с системой подвеса помещен в вакуумную камеру так, что линии действия электронных лучей находятся в соответствующих плоскостях коррекции, частота вращения ротора равна эксплуатационной. Разрежение в камере 5 10 - 6 мм рт. ст. Колебания оси ротора воспринимаются датчиками, выделенные сигналы которых, характеризующие величину и фазу дисбаланса в каждой плоскости коррекции, запускают электронно-оптическую систему в момент прохождения тяжелого места через линии действия электронных лучей. Взаимодействие лучей с твердым телом характеризуется удалением материала из зоны действия луча, обеспечивающего высокую степень локальности нагрева. В зоне испарения металла температура достигает 6000 С, а на расстоянии 1 мкм от нее 300 С. Балансировка осуществляется с высокой точностью, но с небольшой производительностью, а необходимость помещения ротора в вакуумную камеру ограничивает область применения способа. [6]

Электронно-лучевым методом можно обрабатывать как электропроводящие, так и неэлектропроводящие материалы с любыми механическими свойствами. Однако предпочтительнее обработка деталей из электропроводящих материалов или деталей с токопроводящими покрытиями, так как в этом случае статический заряд отводится путем заземления детали. Наличие статического заряда оказывает дефокусирующее действие на поток электронов. [7]

Хотя электронно-лучевой метод является наиболее перспективным методом испарения больших количеств металла, проблема разработки материалов, стойких к расплавленному алюминию, не теряет своей актуальности. В этом направлении достигнуты определенные успехи. [8]

Схема вакуумной дуговой электропечи. [9]

В электронно-лучевом методе расплавление Nb и Та достигается за счет тепла, которое выделяется при соударении потока электронов с нагреваемым телом. [10]

Существует довольно много электронно-лучевых методов, обеспечивающих повышенную разрешающую способность. Наиболее высокой информативностью обладает метод растровой электронной микроскопии. Его достоинствами являются обеспечение большого расстояния между системой магнитных линз и поверхностью образца, что удобно для работы оператора, и возможность непосредственного изучения практически любой свободной поверхности. При использовании относительно простого дополнительного оборудования можно регистрировать отраженные электроны и катодолюминесценцию, что позволяет изучать изменение состава и обеспечивает более контрастное изображение различных фаз. Картина распределения тока, возбуждаемого электронным лучом [45], а также изображение, получаемое методом вольтова контраста [48], дают наглядное представление об электронных процессах в приборе. [11]

Изготовление фотошаблонов электронно-лучевым методом возможно несколькими способами. [12]

В последние годы разработан электронно-лучевой метод получения тонких пленок из химических соединений. Сущность этого метода заключается в том, что ноток электронов, обладающих определенной энергией, направляется на подложку, находящуюся в парах металлоорганических соединений. Под воздействием электронов слой абсорбированных па поверхности подложки молекул разлагается, и нелетучие продукты разложения образуют прочную пленку, связанную с подложкой. Всю цепочку превращений, происходящих при бомбардировке молекул электронами, можно представить себе следующим образом: вначале образуется большое количество ионов, нейтральных атомов и возбужденных молекул. Далее, нейтральпые и заряженные частицы взаимодействуют между собой и с молекулами, в результате чего образуются молекулы и новые частицы - радикалы, возбужденные молекулы, попы и атомы, которые обусловливают последующие химические реакции. [13]

Как отмечалось выше, при электронно-лучевом методе изготовления фотошаблонов точность рисунка ограничена обратным рассеянием электронов. Для уменьшения этого эффекта вместо электронов с малой массой хорошо использовать более тяжелые ионы. [14]

В работе [482] получены пленки рения электронно-лучевым методом разложения карбонпла рения на подложках из спталла, слюды, металла, каменной соли и стекла. Наиболее качественные пленки образуются на онталдовых подложках. Условия осаждения пленок были следующими: плотность тока электронного луча 0 Г - 12 0 дга / гл / 2; энергия электронов 400 - GOO je; давление паров карбоппла рения К) 4 - 1 - 10 2 мм рт. ст.; температура испарителя 40 - УО С; температура подложки 20 - 150 J С. [15]

Страницы: 1 2 3