Cтраница 2
Кроме того, дифрагированные лучи могут быть также использованы для получения изображения объекта. Для этого путем горизонтального смещения апертурной диафрагмы объективной линзы добиваются прохождения через нее рассеянных электронов при полной задержке их первичного пучка. Используя темнопольный метод исследования, можно получать изображения кристаллов, на которых их отдельные участки, соответствующие плоскостям решетки, находящимся в положении отражения, будут казаться светлыми на общем темном фоне. [16]
При параллельном применении темнопольного и светлопольно-го электронно-микроскопического и электронно-графического методов исследования было доказано, что интенсивные и резкие изображения деталей структуры на темнопольной картине создаются электронами от определенных кристаллографических плоскостей. Разрешающая способность темнопольного метода составляет около 50 А. [17]
Таким образом, темнопольный метод для тонких слоев сурьмы позволил получить более точные сведения об их структуре, чем электронография; по-видимому, мелкие кристаллики сурьмы не выявились электронографическп вследствие их малых размеров и искажений кристаллической решетки. При исследовании темнопольным методом строения тонких электролитических слоев никеля было показано, что. На основе этих данных была дана модель строения тонких электролитических слоев никеля. Це-хендер [ 241 при помощи темнопольного метода смог показать, что в напыленном слое кадмия под действием влажного воздуха образовались кристаллики гидроокиси кадмия, хорошо различимые на микрофотографиях. [18]
Исследования при помощи дифракции электронов и крайне чувствительного темнопольного метода показали, что в пленках не содержится заметных кристаллов. Пленки вполне устойчивы во время электронной бомбардировки при увеличениях 40 000 - 60 000, грануляция платины наблюдается лишь после облучения, которое по интенсивности во много раз превышает нормальное. После такого облучения, согласно данным темнопольного метода и электронографии, в пленках обнаруживаются кристаллиты, причем такую же картину грануляции дает платина, напыленная в отдельности на углеродную пленку. Полученные данные свидетельствуют о том, что этот способ является многообещающим для получения высокого разрешения при оттенении. При наблюдении в электронном микроскопе с высокой разрешающей способностью собственную структуру пленок обнаружить не удается, а тени представляются очень резкими даже в том случае, если расстояние от источника испарения до объекта составляло всего 2 5 см. Следовательно, источник можно рассматривать в качестве точечного. [19]
Таким образом, темнопольный метод для тонких слоев сурьмы позволил получить более точные сведения об их структуре, чем электронография; по-видимому, мелкие кристаллики сурьмы не выявились электронографическп вследствие их малых размеров и искажений кристаллической решетки. При исследовании темнопольным методом строения тонких электролитических слоев никеля было показано, что. На основе этих данных была дана модель строения тонких электролитических слоев никеля. Це-хендер [ 241 при помощи темнопольного метода смог показать, что в напыленном слое кадмия под действием влажного воздуха образовались кристаллики гидроокиси кадмия, хорошо различимые на микрофотографиях. [20]
Темнопольный метод в электронной микроскопии, как и в световой, основан на том, что изображение создается не основным освещающим пучком, прошедшим сквозь объект без существенного отклонения, а рассеянными лучами. В результате наклона осветительной системы ( а) или горизонтального смещения апертурной диафрагмы объективной линзы ( б) добиваются полной задержки электронов, прошедших через объект без рассеяния. Лишь рассеянные и отклонившиеся от первоначального направления электроны могут пройти через апертурную диафрагму и принять участие в формировании изображения. Поэтому в случае диффузно-рассеиваю-щих ( аморфных) объектов их более плотным и толстым участкам, вызывающим большее рассеяние, на изображении будут соответствовать более яркие участки. Однако для таких объектов применение темнопольного метода редко является целесообразным, так как при переходе от светлого поля к темному изображение хотя и выигрывает в контрастности, но теряет в разрешении. Иначе обстоит дело в случае кристаллических объектов. Электронный пучок, отраженный от кристаллографической плоскости, если он весь попадет в апертуру, даст резкое изображение большой интенсивности. Это позволяет идентифицировать препараты, различая в них кристаллические участки от аморфных ( см. часть II, стр. Кроме того, получение темнопольного изображения перемещением апертурной диафрагмы в горизонтальной плоскости, позволяет зарегистрировать отражения от определенных кристаллографических плоскостей. [21]
На фото 88 приведена микрофотография пленки полиэтилена, предварительно высушенной и растянутой. Здесь отчетливо виден резкий переход от изотропной к высокоориентированной части полимера, в которой сферолиты совершенно отсутствуют. Особенно удобны для наблюдения тонкие нити, образующиеся при разрыве ориентированных и, несомненно, кристаллических полупрозрачных участков. Нити представляются не однородными, но как бы узловатыми, содержащими образования размером в несколько сотен ангстрем. Так как эти образования являлись единственными неоднородностями, которые удается заметить в кристаллической пленке, то это дало авторам основание предположить, что они представляют собой элементарные кристаллики полиэтилена. Во всяком случае размер элементарных кристалликов не может превышать размеры обнаруженных неоднородностей. Следует добавить, что, вероятно, более определенные сведения по этому вопросу дало бы применение темнопольного метода и, в особенности, микродифракции. [22]