Фотолитографический метод

Cтраница 1

Схема фотолитографического процесса при получении меза-транзистора. [1]

Фотолитографический метод основан на способности ряда материалов, именуемых в дальнейшем фоторезистами, изменять свою структуру под действием света. Если на поверхность полупроводника нанести такой фоторезист и обработать его светом через шаблон с отверстиями, то участки, подвергнутые освещению, не будут растворяться в обычных травителях. В то же время незасвеченные части фоторезиста будут легко растворяться. Таким способом удается получить селективное травление на поверхности полупроводника. [2]

При фотолитографическом методе наибольшую трудность представляет точное совмещение модулей фотошаблона с изображением модулей другого фотошаблона, воспроизведенными ранее на подложке, применяемой для изготовления полупроводникового прибора. [3]

Технологический маршрут получения резистивного и проводящего элементов методом двойной фотолитографии. [4]

При фотолитографическом методе для изготовления ГИС, содержащих резисторы и проводники, используют также два других технологических маршрута. [5]

Фотолитографический метод создания выводов транзистора. [6]

Фирмой Philco фотолитографический метод используется для изготовления из тонкого слоя кремния на керамической подложке ряда изолированных деталей с сосредоточенными постоянными. [7]

При использовании фотолитографических методов формирования рисунка микросхем линейная погрешность определяется другими параметрами и в гораздо большей степени зависит от выбранной схемы технологического процесса. [8]

Для этого пластина вновь окисляется и фотолитографическим методом на ней вытравливаются окна, через которые внутрь кристалла производится диффузия р-примесей. Глубина этой диффузии такова, что акцепторные примеси проходят через весь эпитаксиальный слой типа п до самой поверхности подложки р-типа. В результате между соседними областями - типа образуются встречно включенные п-р-переходы, выполняющие роль диэлектрической изоляции. [9]

Рассмотрим, например, процесс создания фотолитографическим методом маски под диффузию на поверхности полупроводниковой подложки. После высыхания светочувствительной пленки на подложку накладывается фотошаблон с рисунком нужного технологического слоя. Если используется позитивный фоторезист ( например, ФП-383), при проявлении в слабом щелочном растворе экспонированные участки пленки, которые под воздействием света стали растворимыми, вымываются, оставляя открытыми участки окисной пленки; неэкспонированный фоторезист нерастворим и не затрагивается проявителем. Таким образом создается контактная ласка из фоторезиста. Если теперь опустить подложку в концентрированную плавиковую кислоту, окисная пленка стравливается лишь в местах, не защищенных маской. В результате образуется стойкая к высокой температуре маска из двуокиси кремния. [10]

На слое ( рис. 260 6) фотолитографическим методом обозначаются границы области базы; далее с помощью фосфорной кислоты стравливается слой оки-кренниа спрово - си, покрывающий эту область. Так как слой Si02 не пропускает атомы бора, то его атомы могут продиффундировать в полупроводник только через вытравленное окно ( свободное от окиси), где и образуется о. Так как диффузия бора в кремнии происходит изотропно по всем направлениям, то бор распространяется под слоем SiO2 и вниз и в обе стороны. Благодаря этому граница образующегося р - n перехода будет находиться на поверхности кремния в таком месте, которое покрыто защитным слоем окиси кремния. Во время введения бора поверхность области базы покрывается новой ( более тонкой) пленкой окиси, которая постепенно превращается в боросиликатное стекло. В новом окисном слое ( рис. 260 г) тем же фотолитографическим методом вытравливается небольшое окно для эмиттера. [11]

Технология изготовления меза-дйффу-зионно-еплавного транзистора. [12]

Устранить эти недостатки удалось, заменив лунки меза-структурами, получаемыми фотолитографическим методом. [13]

К числу принципиальных факторов относятся ограничения, накладываемые дифракцией, которая определяет предел разрешающей способности фотолитографических методов. [14]

В дальнейшем производят резку пластинок на стержни, для чего применяют станки ультразвуковой резки, алмазные диски, станки электроискровой обработки металлов либо химическое вытравливание с помощью фотолитографического метода. [15]

Страницы: 1 2 3