Фотолитографический метод
Cтраница 2
 |
Схема плетения сеточной ткани. [16] |
В некоторых конструкциях односторонних рамочных сеток ( сетках клистронов, металлокерамических ламп, тиратронов, некоторых генераторных ламп и др.) витки заменены плетеной тканью 7 ( см. рис. 54, в) или тканью, полученной электрическим, электроэрозионным или фотолитографическим методом. [17]
 |
Стадии процесса фотолитографии. [18] |
В основе фотолитографического метода лежит способность некоторых веществ после воздействия на них света терять или приобретать растворимость в обычных для них растворителях. [19]
 |
Спектральное распределение эффективного квантового выхода Аи - n - GaAs-контакта ( приведено к числу падающих фотонов.| Изменение эффективного квантового выхода с напряжением смещения для. [20] |
Полупрозрачный барьерный контакт получают либо вакуумным напылением металла, либо электрохимическим или химическим осаждением. Фоточувствительные площадки выделяют фотолитографическим методом. Для уменьшения поверхностных утечек, увеличения напряжения пробоя формируются мезаструктуры с охранными кольцами. [21]
 |
Тонкопленочная схема и набор масок. [22] |
В качестве масок используют фольгу из нержавеющей стали, Mo, Ni, сплавов Си толщиной 0 1 мм. Рисунки на фольге создают фотолитографическим методом. [23]
 |
Металлы, образующие конгруэнтно плавящиеся инертметаллические соединения ( на ребрах графа металлы, образующие интсрмсталлиды. [24] |
В табл. 32 приведены основные характеристики наиболее широко применяемых композиций материалов для контактных площадок в гибридных интегральных схемах, и в табл. 33 характеристики металлов контактных систем в интегральных схемах. В результате все более широкого применения фотолитографических методов формирования топологического рисунка и определенных трудностей в травлении нихрома во многих случаях адгезивный подслой формируется из хрома или ванадия, реже из титана или циркония. [25]
Суспензию распределяют по экрану поливом. Процесс повторяют для люминофоров другого цвета свечения, закрепляемого таким же фотолитографическим методом на других участках ( точках) телеэкрана. Другим способом люми-нофорное покрытие осаждают из раствора силиката калия К2ЗЮз, сушат, пропитывают водно-спиртовым раствором поливинилового спирта, содержащим бихромат аммония, сушат, экспонируют через маску и проявляют. Затем процесс повторяют для люминофоров другого цвета. Применяют и другие технологические приемы получения мозаичных телеэкранов. [26]
В производственных условиях предпочтение отдается автоматическим цифровым приборам, которые настраиваются на измеряемую величину автоматически, а результат измерения выдают в цифровой форме. В Приложении 1 приведены данные по методам и средствам производственного контроля гибридных ИМС, платы которых изготовляют фотолитографическим методом. [27]
Следующей операцией является резка пластин на элементы. Для этой цели применяются станки ультразвуковой резки, алмазные диски, станки электроискровой обработки металлов либо химическое вытравливание с помощью фотолитографического метода. [28]
Авторы предпочли другой подход, в котором дифракционный элемент рассматривают как бесконечно тонкий транспарант с особым образом заданным амплитудным коэффициентом пропускания. Во-первых, такое представление ДОЭ достаточно реально отражает условия его работы: дифракция света на рельефно-фазовых структурах, изготавливаемых с помощью фотолитографического метода, происходит в пределах тонкого слоя толщиной не более двух длин волн. Во-вторых, оперируя с амплитудным коэффициентом пропускания, очень просто задавать асферические отклонения в структуре ДОЭ, тогда как при рассмотрении рефракционной линзы пришлось бы вводить асферические поверхности, что затрудняет расчет элемента. Конечно, реальные ДОЭ всегда представляют собой дифракционную структуру на поверхности стеклянной подложки конечной толщины. Общепринято, однако, рассматривать в качестве ДОЭ только структуру, на которой дифрагирует свет. Если же влияние подложки существенно, то реальный оптический элемент представляется как совокупность бесконечно тонкого ДОЭ и подложки как чисто рефракционного компонента. [29]
 |
Технологический маршрут производства тонкопленочной ГИС комбинированным методом ( масочным и двойной фотолитографии. [30] |
Страницы: 1 2 3