Эллипсометрический метод
Cтраница 2
Лагерная эллипсометрия основана на анализе изменений состояния поляризации света, отраженного от поверхности изделия. Применение лазеров позволило резко под-нить чувствительность и информативность эллипсометрического метода, так как они определяются главным образом монохроматичностью и степенью направленности источника излучения. [16]
 |
Схемы волоконно-оптических интерферометров для контроля деформаций и амплитуд вибраций. [17] |
Лазерная эллипсометрия основана на анализе изменений состояния поляризации света, отраженного от поверхности изделия. Применение лазеров позволило резко поднять чувствительность и информативность эллипсометрического метода, так как они определяются главным образом монохроматичностью и степенью направленности источника1 излучения. [18]
 |
Схемы волоконно-оптических интерферометров для контроля деформаций и амплитуд вибраций. [19] |
Лазерная эллипсометрия основана на анализе изменений состояния поляризации света, отраженного от поверхности изделия. Применение лазеров позволило резко поднять чувствительность и информативность эллипсометрического метода, так как они определяются главным образом монохроматичностью и степенью направленности источника излучения. [20]
Таким образом, для понимания механизма пассивации необходимо изучение закономерностей образования, роста и свойств оксидных слоев. Для этого используют разнообразные электрохимические, а также оптические методы ( см. § 17), из которых особый интерес представляет эллипсометрический метод, позволяющий исследовать состояние поверхности металла непосредственно при измерении потенциостатиче-ских поляризационных кривых. Был разработан иодидиый метод отделения пассивирующей пленки от металла, который основан на том, что раствор Ia K. I проникает через поры пленки к поверхности металла и растворяет его. [21]
 |
Принципиальная схема эллипсометриче-ского метода ( а и проекция на плоскость у траектории, описываемой концом вектора электрического поля падающего света ( б. [22] |
Анализ этих изменений, который обычно выполняют с помощью ЭВМ по специально разработанным программам, позволяет рассчитать соответствующие изменения d и п в исследуемой системе и связать их с образованием на поверхности электрода адсорбционного или фазового слоя. Полученные эллипсометрическим методом данные по адсорбции на ртутном электроде анионов С1 -, Вг - и I, а также некоторых органических веществ находятся в хорошем согласии с результатами электрокапиллярных и емкостных измерений. Широкое применение эллипсометрический метод получил при изучении оксидных слоев на различных электродах. [23]
Значение эллипсометрических измерений неуклонно возрастает в связи с увеличением удельного веса изделий микроэлектроники в общем объеме производства приборов. Так, в тонкопленочной полупроводниковой электронике поляризационные оптические методы используются для определения толщин и показателей преломления тонких пленок на кремниевых и германиевых подложках. Относительная простота эллипсометрических методов позволяет проводить поляризационно-оптические измерения на любой стадии технологического процесса, а также исследовать кинетику процесса формирования тонких пленок. [24]
 |
Реологические характеристики межфазного адсорбционного слоя водного раствора лизоцима на разных углеводородных границах ( с 1 0 г / 100 мл. рН 5 3. 20 С. [25] |
Определение толщин межфазных слоев до сих пор представляет существенную трудность. Оценить толщины адсорбционных слоев ВПАВ, возможно, по-видимому, определяя равновесные толщины свободных пленок [168, 169], образующихся при вытекании растворителя, считая, что толщина равновесной пленки приблизительно равна удвоенной толщине межфазного слоя. В работе [171] эллипсометрическим методом определяли толщины адсорбционных слоев полиэтилен-гликоля и поливинилпирролидона в водных растворах на границе с воздухом. [26]
Для изучения поверхности электродов и явлений адсорбции используют оптические методы. Часть этих методов предназначена для исследования поверхностного слоя электродов, погруженных в раствор электролита и включенных в электрохимическую цепь. Таким образом получается информация о состоянии границы раздела фаз при заданном составе раствора и заданном потенциале электрода. К этим методам относятся эллипсометрический метод, а также методы обычного зеркального и неполного внутреннего отражения. Другая часть оптических методов изучения поверхности электродов требует удаления их из раствора, просушки и последующего исследования в глубоком вакууме. К этим методам относятся дифракция медленных электронов, Оже-спектроскопия, фотоэлектронная спектроскопия ( рентгеновский микроанализ), сканирующая электронная микроскопия и некоторые другие методы. [27]
Молибден термодинамически достаточно устойчивый металл, его равновесный потенциал равен - 0 2 в. Скорость коррозии молибдена при температуре до 100 С в растворах сильных кислот ( неокислительного характера) зависит от концентрации, с увеличением которой скорость коррозии снижается. В этих растворах в отсутствие окислителей или действия анодного тока молибден химически устойчив как при стационарных потенциалах, так и в широкой области потенциалов отрицательнее стационарного значения. В этом случае имеет место так называемое явление перепассивации молибдена, вызываемое окислением стабильного окисла четырехвалентного молибдена до неустойчивого в этих условиях окисла высшей валентности. В области потенциалов устойчивого пассивного состояния молибдена постоянство толщины пленки, наблюдаемое эллипсометрическим методом, можно связать с образованием на его поверхности окисла МоО2 [26], толщина которого при 25 С не превышает 40 - 50 А. Благодаря высокой устойчивости, пленка на молибдене с трудом восстанавливается катодным током. Коэффициент преломления пленки, формирующейся на молибдене как в стационарных условиях, так и при катодной поляризации, находится в пределах значений 4 5 - 5 0; это указывает на то, что состав ее в условиях опыта не изменяется. Металл в этих условиях находится в пассивном состоянии, причем толщина пленки не превышает 50 А. Незначительное увеличение плотности тока ( 5 мка / см2) приводит к скачку потенциала до 0 5 в, что способствует переходу молибдена в транспассивное состояние. Дальнейшее увеличение плотности тока уже постепенно и незначительно сдвигает потенциал в положительную сторону. Защитная пленка на поверхности молибдена при его переходе в транспассивное состояние начинает утолщаться сначала медленно, а с повышением плотности тока ( при 500 мка / см2) значительно. [28]
 |
Адсорбция полистирола из толуола и циклогексаиа при 34 С. [29] |
В табл. 18 приводятся данные Силберберга для растворов анионного полистирола с узким молекулярно-весовым распределением для разных концентраций. Видно, что толщина адсорбционного слоя зависит от концентрации раствора и возрастает с молекулярным весом. Большую роль в исследовании структуры адсорбционного слоя макромолекул на твердых поверхностях сыграла работа [61 ], в которой была изучена адсорбция полиэтиленгликолей молекулярного веса 6130 и 40 000 из водных растворов и поливинил-пирролидона ( мол. Эллипсометрическим методом определены плотность и концентрация полимера в адсорбционном слое, откуда вычислялось количество полимера, сорбированного единицей поверхности. [30]
Страницы: 1 2