Cтраница 2
Основным недостатком этого метода изоляции является его большая стоимость по сравнению с планарно-эпитак-сиальным. [16]
Применяются два основных метода изоляции и укладки: совмещенный и раздельный. При совмещенном методе изоляция и укладка ведутся одновременно, а при раздельном - трубопровод изолируют на бровке траншеи, а затем перекладывают в нее. [18]
![]() |
Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и топология электродов этого транзистора ( б. [19] |
Основным недостатком этого метода изоляции является его большая стоимость по сравнению с планарно-эпитаксиальным. [20]
К неселективным относятся методы изоляции проницаемых пластов, основанные на последовательной или одновременной закачке в призабойную зону скважин нескольких реагентов, при взаимодействии которых образуется осадок не растворяющийся ни в воде, ни в нефти. [21]
В изложенных выше методах изоляции все тепло, приходящее из окружающей среды, проникает в область самой низкой температуры - водородной ( 20 К) и должно быть компенсировано на этом низком температурном уровне. Расход дорогостоящего низкотемпературного холода уровня 20 К может быть частично уменьшен и заменен более дешевым холодом ( например, уровня 80 К) путем применения охлажденных экранов. В определенном месте слоя изоляции помещается экран, имеющий независимо от толщины внешней изоляции постоянную температуру кипящего азота. При этом в предельном случае внешней изоляции может не быть, но, несмотря ка это, количество тепла, проникающего на водородный уровень, будет тег: же. Такие условия будут сопряжены с большим расходом жидкого азота. При заданной общей толщине изоляции б может быть найдено теоретически оптимальное место расположения экрана. [22]
Несмотря на это, методы изоляции вод весьма ограничены и в основном они сводятся к задавливанию цементной суспензии в пути водопритоков. Как было показано выше, это объясняется несоответствием ряда физико-химических свойств тампонирующих смесей на основе цемента условиям водоизоляционных работ в скважинах. Одним из основных недостатков цементной суспензии является низкая подвижность в условиях пласта, обусловленная высокой фильтратоотдачей, и низкое сцепление со старым цементным камнем, покрытым нефтью. Кроме того, отверждение ее происходит как в нефтяной среде, так и водной, что не исключает закупоривания нефтенасы-щенной части пласта. В предыдущих главах было показано, что камень из цемента подвергается коррозионному разрушению и при динамических нагрузках в нем образуется много трещин. [23]
Характер этих связей зависит от метода изоляции и технологии изготовления микросхемы. В меньшей степени подложка влияет на параметры транзисторов при использовании диэлектрической изоляции. [24]
![]() |
Иозляции элементов ИС с помощью высокоомной подложки. [25] |
Наиболее перспективным оказался так называемый изопланар-ный метод изоляции, использующий области с термически выращенным окислом. На рис. 12.56 приведена структура схемы с окисной изоляцией. Электрический контакт к скрытой области коллектора окружен окисной областью. [26]
В процессе исследования продуктов деления были разработаны методы изоляции каждого элемента от других продуктов деления. [27]
Для водоизоляции, в основном, применяется методы изоляции обводненных пропластков различными составами. [28]
Последовательность операций при изготовлении полупроводниковых микросхем определяется методами изоляции элементов. [29]
В системе эксплуатации нефтяных месторождений важное место занимают методы изоляции водопритоков как ниже -, так и вышележащих ( относительно продуктивного пласта) водоносных горизонтов. [30]