Метода - изоляция
Cтраница 3
В зависимости от физико-химических свойств, рецептуры и метода изоляции феррочастиц порошки карбонильного железа классов Р ц Пс могут быть использованы в диапазоне частот: до 10 МГц - для марки Р-10, до 20 МГц - для марки Р-20 и класса Пс и до 100 МГц - для марки Р-100 в интервале температур от - 60 до 100 С. [31]
Конкретное конструктивно-технологическое исполнение ИС во многом определяется как методами изоляции элементов, так и схемно-технологическими признаками. [32]
В настоящее время в газовой промышленности существует три основных метода изоляции стальных труб полиэтиленом: агломерация, рукавная и обмоточная экструзии. [33]
В настоящее время в газовой промышленности существуют три основных метода изоляции стальных труб полиэтиленом: агломерация, рукавная и обмоточная экструзии. [34]
В настоящее время в газовой промышленности существует три основных метода изоляции стальных труб полиэтиленом: агломерация, рукавная и обмоточная экструзии. [35]
Интегральные транзисторы классифицируют по принципу работы, связанному с основной структурой, методу изоляции в ИМС, технологии изготовления, конструкции и другим признакам. Основным технологическим методом создания интегральных транзисторов в настоящее время является эпитаксиалыю-диффузионный с изоляцией элементов обратно-смещенными р-п переходами. [36]
В зависимости от механизма изоляции и применяемого изоляционного материала существуют селективный и неселективный методы изоляции ( отключения) обводненных интервалов пласта. Представляет интерес самостоятельное рассмотрение каждого метода. [37]
Описаны планар-ная, эпитаксиальная, электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем, а также методы изоляции, герметизации и конструктивного оформления таких схем. Рассмотрены физические явления, которые в ближайшее время могут найти применение в полупроводниковой электронике. [38]
Среди целого ряда методов искусственного воздействия на залежь как наиболее надежный был выбран метод изоляции газовой шапки от нефтенасыщенной зоны. [39]
С появлением возможности наращивания тонких эпи-таксиальных слоев ( 1 - 2 мкм) были разработаны методы изоляции элементов, позволяющие сэкономить значительную долю площади кристаллов. [41]
БашНИПИнефть п Нефтскамским УБР разработан в 1976 г. п внедряется в производство на Арлаиском месторождении метод изоляции поглощающих пластов при согласованных режимах нагнетания тампонажных смесей. [42]
Наибольший интерес вызвала у нас работа изоляционной колонны, где использовался не применяемый пока в нашей практике метод изоляции. Разогретая битумная или другая мастичная изоляция наносится на трубу набрызгом из сопел с небольшими отверстиями, расположенными по кольцу. [43]
Тип конструкции определяется полупроводниковым материалом, основанным технологическими методами создания локальных областей и формирования в вих элементов, методами изоляции в кристалле, а также типом и структурой используемых транзисторов. Как уже указывалось, большинство полупроводниковых микросхем изготовляют а основе монокристаллического кремния, хотя в отдельных случаях используют германий. Зто объясняется тем; что кремний имеет перед германием ряд физических и технологических преимуществ, важных для создания элементов интегральных микросхем. [44]
 |
Планарно-эпитаксиальный транзистор. [45] |
Страницы: 1 2 3 4